ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट कॅल्क्युलेटर

✖ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि सर्किट्समधील एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे व्होल्टेज आणि करंटमधील इनपुट-आउटपुट संबंधांचे वर्णन आणि परिमाण करण्यात मदत करते.ⓘ ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर [k_n]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.ⓘ प्रभावी व्होल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖डीसी बायस करंट हा स्थिर प्रवाह आहे जो सर्किट किंवा डिव्हाइसमधून विशिष्ट ऑपरेटिंग पॉइंट किंवा बायस पॉइंट स्थापित करण्यासाठी वाहतो.ⓘ ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट [I_b]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट

सुत्र

`"I"_{"b"} = 1/2*"k"_{"n"}*"V"_{"eff"}^2`

उदाहरण

`"15172.5mA"=1/2*"10.5A/V²"*("1.7V")^2`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रभावी व्होल्टेज^2
I_b = 1/2*k_n*V_eff^2
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

डीसी बायस वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - डीसी बायस करंट हा स्थिर प्रवाह आहे जो सर्किट किंवा डिव्हाइसमधून विशिष्ट ऑपरेटिंग पॉइंट किंवा बायस पॉइंट स्थापित करण्यासाठी वाहतो.
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट) - ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि सर्किट्समधील एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे व्होल्टेज आणि करंटमधील इनपुट-आउटपुट संबंधांचे वर्णन आणि परिमाण करण्यात मदत करते.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर: 10.5 अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट --> 10.5 अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_b = 1/2*k_n*V_eff^2 --> 1/2*10.5*1.7^2

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_b = 15.1725

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

15.1725 अँपिअर -->15172.5 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

15172.5 मिलीअँपिअर <-- डीसी बायस वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » बायसिंग » ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग

जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर

प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 18 बायसिंग कॅल्क्युलेटर

कलेक्टर वर्तमान दिले वर्तमान लाभ Mosfet

जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = (वर्तमान लाभ*(नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज))/(बेस प्रतिकार+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिकार)

Mosfet च्या इनपुट बायसिंग करंट

जा इनपुट बायसिंग वर्तमान = (नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/(बेस प्रतिकार+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिकार)

कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज दिलेला कलेक्टर रेझिस्टन्स

जा कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-(जिल्हाधिकारी वर्तमान+इनपुट बायसिंग वर्तमान)*कलेक्टर लोड रेझिस्टर

कलेक्टर वर्तमान दिलेला वर्तमान लाभ

जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = वर्तमान लाभ*(कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/बेस प्रतिकार

MOSFET चा DC बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2

कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज

जा कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-कलेक्टर लोड रेझिस्टर*जिल्हाधिकारी वर्तमान

ग्राउंडच्या संदर्भात कलेक्टर व्होल्टेज

जा कलेक्टर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-जिल्हाधिकारी वर्तमान*कलेक्टर लोड रेझिस्टर

जमिनीच्या संदर्भात एमिटर व्होल्टेज

जा एमिटर व्होल्टेज = -नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज+(एमिटर करंट*उत्सर्जक प्रतिकार)

MOSFET चा बेस करंट

जा इनपुट बायसिंग वर्तमान = (बायस व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/बेस प्रतिकार

ड्रेनवर डीसी बायस आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = पुरवठा व्होल्टेज-लोड प्रतिकार*डीसी बायस वर्तमान

संपृक्तता मध्ये जिल्हाधिकारी वर्तमान

जा कलेक्टर वर्तमान संपृक्तता = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज/कलेक्टर लोड रेझिस्टर

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रभावी व्होल्टेज^2

MOSFET चे बायस व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज

इनपुट बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = (इनपुट बायस करंट १+इनपुट बायस वर्तमान 2)/2

Mosfet च्या जिल्हाधिकारी वर्तमान

जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = वर्तमान लाभ*इनपुट बायसिंग वर्तमान

Mosfet च्या उत्सर्जक प्रवाह

जा एमिटर करंट = जिल्हाधिकारी वर्तमान+इनपुट बायसिंग वर्तमान

जमिनीच्या संदर्भात बेस व्होल्टेज

जा बेस व्होल्टेज = एमिटर व्होल्टेज+बेस एमिटर व्होल्टेज

विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट

जा डीसी बायस वर्तमान = ड्रेन करंट १+निचरा प्रवाह 2

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट सुत्र

डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रभावी व्होल्टेज^2
I_b = 1/2*k_n*V_eff^2

एमओएसएफईटी चा डीसी ऑपरेटिंग पॉईंट म्हणजे काय?

हे डीसी ऑपरेटिंग पॉईंटची गणना करते, ज्यास सर्किटचे बायस पॉईंट देखील म्हटले जाते. सक्रिय डिव्हाइसच्या निर्दिष्ट पिनवर स्थिर-राज्य व्होल्टेज किंवा वर्तमान आहे ज्याशिवाय इनपुट सिग्नल लागू केलेला नाही.

एमओएसएफईटीटीमध्ये विविध प्रकारचे बायसिंग काय आहे?

एमओएसएफईटीएसचे बायझिंग: दोन सामान्य प्रकारचे बायसिंग सर्किट, व्होल्टेज डिव्हिडर बायस आणि ड्रेन फीडबॅक बायस मानले जाते.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!