✖ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे ड्रेन करंटमधील बदल म्हणजे स्थिर ड्रेन/सोर्स व्होल्टेजसह गेट/स्रोत व्होल्टेजमधील लहान बदलाने भागलेला.ⓘ Transconductance [gm] | | | +10% -10% |
✖सामान्य उत्सर्जक करंट गेन दोन घटकांद्वारे अत्यंत प्रभावित होतो: बेस क्षेत्राची रुंदी, W, आणि बेस प्रदेश आणि उत्सर्जक क्षेत्राचे सापेक्ष डोपिंग.ⓘ कॉमन एमिटर करंट गेन [β] | | | +10% -10% |
✖MOSFET च्या दुय्यम मधील प्राथमिक वळणाचा प्रतिकार म्हणजे त्यातून वाहणाऱ्या विद्युत प्रवाहाचा विरोध. हे विशिष्ट MOSFET डिझाइन आणि ऑपरेटिंग परिस्थितीवर अवलंबून असते.ⓘ माध्यमिक मध्ये प्राथमिक विंडिंगचा प्रतिकार [R'1] | | | +10% -10% |
✖MOSFET च्या प्राइमरीमधील दुय्यम वळणाचा प्रतिकार म्हणजे त्यातून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाला विरोध. हे विशिष्ट MOSFET डिझाइन आणि ऑपरेटिंग परिस्थितीवर अवलंबून असते.ⓘ प्राथमिक मध्ये दुय्यम विंडिंगचा प्रतिकार [R'2] | | | +10% -10% |