पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov कॅल्क्युलेटर

✖पीएमओएस (पीटीएम) मधील प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडेलिंगमध्ये ट्रान्झिस्टरचे कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्यीकृत करण्यासाठी वापरलेले पॅरामीटर आहे.ⓘ PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर [k'_p]			+10% -10%
✖आस्पेक्ट रेशो हे ट्रान्झिस्टरच्या चॅनेलच्या लांबीच्या रुंदीचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते. हे गेटच्या रुंदीचे स्त्रोतापासूनच्या अंतराचे गुणोत्तर आहेⓘ प्रसर गुणोत्तर [WL]			+10% -10%
✖प्रभावी व्होल्टेज हे समतुल्य DC व्होल्टेज आहे जे AC व्होल्टेज मोजले जात असलेल्या प्रतिरोधक भारामध्ये त्याच प्रमाणात पॉवर अपव्यय निर्माण करेल.ⓘ प्रभावी व्होल्टेज [V_ov]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेले सॅच्युरेशन ड्रेन करंट हे सब थ्रेशोल्ड करंट म्हणून परिभाषित केले जाते आणि गेट टू सोर्स व्होल्टेजसह वेगाने बदलते.ⓘ पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov [I_ds]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

सुत्र

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"ov"})^2`

उदाहरण

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.16V")^2`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

संपृक्तता निचरा वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेले सॅच्युरेशन ड्रेन करंट हे सब थ्रेशोल्ड करंट म्हणून परिभाषित केले जाते आणि गेट टू सोर्स व्होल्टेजसह वेगाने बदलते.
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - पीएमओएस (पीटीएम) मधील प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडेलिंगमध्ये ट्रान्झिस्टरचे कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्यीकृत करण्यासाठी वापरलेले पॅरामीटर आहे.
प्रसर गुणोत्तर - आस्पेक्ट रेशो हे ट्रान्झिस्टरच्या चॅनेलच्या लांबीच्या रुंदीचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते. हे गेटच्या रुंदीचे स्त्रोतापासूनच्या अंतराचे गुणोत्तर आहे
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - प्रभावी व्होल्टेज हे समतुल्य DC व्होल्टेज आहे जे AC व्होल्टेज मोजले जात असलेल्या प्रतिरोधक भारामध्ये त्याच प्रमाणात पॉवर अपव्यय निर्माण करेल.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर: 2.1 मिलिसीमेन्स --> 0.0021 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
प्रसर गुणोत्तर: 6 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्रभावी व्होल्टेज: 2.16 व्होल्ट --> 2.16 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_ds = 0.02939328

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.02939328 अँपिअर -->29.39328 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

29.39328 मिलीअँपिअर <-- संपृक्तता निचरा वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चॅनल सुधारणा » पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 पी-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरचा एकूण ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2*(1+ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज/modulus(लवकर व्होल्टेज))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड प्रदेशात प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*((गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)^2)

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड क्षेत्रामध्ये ड्रेन करंट दिलेला Vsd

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(modulus(प्रभावी व्होल्टेज)-1/2*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या संतृप्ति क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवाह

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2

PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर

जा बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दात्याची एकाग्रता)/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)

स्त्रोतापासून नाल्याकडे प्रवाह काढा

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक)

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

पीएमओएसमध्ये इनव्हर्शन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसचा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

जा प्रभावी व्होल्टेज = गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसच्या इनव्हर्जन चॅनेलमधील वर्तमान

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*उलट्याचा प्रवाह वेग)

PMOS चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

PMOS च्या इनव्हर्शन चॅनेलमध्ये वर्तमान दिलेली गतिशीलता

जा उलट्याचा प्रवाह वेग = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

जा संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov सुत्र

संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

एमओएसएफईटीमध्ये ड्रेन करंट म्हणजे काय?

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेल्या ड्रेन करंटची उपखंड धार म्हणून परिभाषित केली जाते आणि व्हीजीएसमध्ये वेगाने बदलते. लॉगच्या उतार (पारंपारिक) विरूद्ध. व्हीजीएस वैशिष्ट्य म्हणजे सबथ्रेशोल्ड स्लोप, एस म्हणून परिभाषित केले आहे आणि लॉजिक अ‍ॅप्लिकेशन्समध्ये एमओएसएफईटीईएससाठी सर्वात महत्वपूर्ण कामगिरी मेट्रिक्सपैकी एक आहे.

पीएमओएसमध्ये सध्याचा प्रवाह कोणत्या मार्गाने जातो?

एनएमओएसमध्ये इलेक्ट्रॉन हे शुल्क वाहक असतात. म्हणून इलेक्ट्रॉन स्त्रोत ते ड्रेन पर्यंत प्रवास करतात (म्हणजे विद्युत् प्रवाह ड्रेन> स्त्रोतातून जाते.) पीएमओएसच्या छिद्रांमध्ये शुल्क वाहक 1 असतात. म्हणून छिद्र स्त्रोत ते ड्रेन पर्यंत प्रवास करतात.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!