कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली कॅल्क्युलेटर
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
गणित
भौतिकशास्त्र
↳
पृष्ठभाग रसायनशास्त्र
अजैविक रसायनशास्त्र
अणु रसायनशास्त्र
अणू रचना
इलेक्ट्रोकेमिस्ट्री
ईपीआर स्पेक्ट्रोस्कोपी
केमिकल बाँडिंग
क्वांटम
गॅसची घनता
ग्रीन केमिस्ट्री
छायाचित्रणशास्त्र
टप्पा समतोल
नियतकालिक सारणी आणि नियतकालिक
नॅनोमटेरियल्स आणि नॅनोकेमिस्ट्री
पॉलिमर रसायनशास्त्र
फायटोकेमिस्ट्री
फार्माकोकिनेटिक्स
फेमटोकेमिस्ट्री
बायोकेमिस्ट्री
मूलभूत रसायनशास्त्र
मोल कॉन्सेप्ट आणि स्टोइचिओमेट्री
रासायनिक गतीशास्त्र
रासायनिक थर्मोडायनामिक्स
वायुमंडलीय रसायनशास्त्र
वायूंचा गतिमान सिद्धांत
विश्लेषणात्मक रसायनशास्त्र
शारीरिक रसायनशास्त्र
समतोल
सांख्यिकीय थर्मोडायनामिक्स
सेंद्रीय रसायनशास्त्र
सॉलिड स्टेट केमिस्ट्री
सोल्यूशन आणि कोलिगेटिव्ह गुणधर्म
स्पेक्ट्रोकेमिस्ट्री
⤿
सर्फॅक्टंट सोल्युशन्समध्ये कोलाइडल स्ट्रक्चर्स
ऍडसॉर्प्शन आयसोथर्मचे महत्त्वाचे सूत्र
कोलॉइड्सचे महत्त्वाचे सूत्र
द्रवपदार्थांमध्ये केशिका आणि पृष्ठभागाची शक्ती (वक्र पृष्ठभाग)
पृष्ठभाग तणावावरील महत्त्वपूर्ण सूत्रे
फ्रींडलिच orशॉर्शन आयसोदरम
बीईटी शोषण आयसोथर्म
लँगमुयर सोशोशन आयसोदरम
⤿
इलेक्ट्रोफोरेसीस आणि इतर इलेक्ट्रोकिनेटिक्स घटना
Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
गंभीर पॅकिंग पॅरामीटर
टॅनफोर्ड समीकरण
विशिष्ट पृष्ठभाग क्षेत्र
✖
झेटा पोटेंशिअल म्हणजे स्लिपिंग प्लेनमधील विद्युत क्षमता. हे प्लेन हे इंटरफेस आहे जे मोबाईल फ्लुइडला पृष्ठभागावर चिकटलेल्या द्रवापासून वेगळे करते.
ⓘ
झेटा पोटेंशियल [ζ]
अबव्होल्ट
अॅटोव्होल्ट
सेंटीव्होल्ट
डेसिव्होल्ट
डेकाव्होल्ट
इएमयु विद्युत क्षमता
इएसयु विद्युत क्षमता
फेमतोव्होल्ट
गिगावोल्ट
हेक्टोव्होल्ट
किलोवोल्ट
मेगाव्होल्ट
मायक्रोव्होल्ट
मिलिव्होल्ट
नॅनोव्होल्ट
पेटाव्होल्ट
पिकोव्होल्ट
प्लांक व्होल्टेज
स्टेटव्होल्ट
टेराव्होल्ट
व्होल्ट
वॅट / अँपियर
योक्टोव्होल्ट
झेप्टोव्होल्ट
+10%
-10%
✖
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगीची व्याख्या अशी केली जाते की सापेक्ष परवानगी किंवा डायलेक्ट्रिक स्थिरता हे एका माध्यमाच्या पूर्ण परवानगी आणि मोकळ्या जागेच्या परवानगीचे गुणोत्तर आहे.
ⓘ
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी [ε
r
]
+10%
-10%
✖
द्रवाची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी हे बाह्य शक्ती लागू केल्यावर त्याच्या प्रवाहाच्या प्रतिकाराचे मोजमाप आहे.
ⓘ
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी [μ
liquid
]
शतप्रतिशत
Decapoise
डिसिपोइज
डायन सेकंड प्रति स्क्वेअर सेंटीमीटर
ग्रॅम प्रति सेंटीमीटर प्रति सेकंद
हेक्टोपॉइस
किलोग्रॅम प्रति मीटर प्रति सेकंद
किलोग्राम-फोर्स सेकंद प्रति स्क्वेअर मीटर
किलोपोईस
मेगापोईज
Micropoise
मिलिन्यूटन सेकंद प्रति चौरस मीटर
मिलिपोईज
न्यूटन सेकंद प्रति चौरस मीटर
पास्कल सेकंड
पोईस
पाउंड प्रति फूट प्रति तास
पाउंड प्रति फूट प्रति सेकंद
पाउंडल सेकंद प्रति स्क्वेअर फूट
पाउंड-फोर्स सेकंद प्रति स्क्वेअर फूट
पाउंड-फोर्स सेकंद प्रति स्क्वेअर इंच
रेन
स्लग प्रति फूट प्रति सेकंद
+10%
-10%
✖
आयनिक मोबिलिटीचे वर्णन एका युनिट इलेक्ट्रिक फील्ड अंतर्गत वायूद्वारे आयनद्वारे प्राप्त होणारी गती म्हणून केले जाते.
ⓘ
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली [μ]
चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद
स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
✖
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली
सुत्र
`"μ" = ("ζ"*"ε"_{"r"})/(4*pi*"μ"_{"liquid"})`
उदाहरण
`"55.98275m²/V*s"=("4.69V"*"150")/(4*pi*"10P")`
कॅल्क्युलेटर
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा पृष्ठभाग रसायनशास्त्र सुत्र PDF
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
आयनिक गतिशीलता
= (
झेटा पोटेंशियल
*
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
)/(4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
)
μ
= (
ζ
*
ε
r
)/(4*
pi
*
μ
liquid
)
हे सूत्र
1
स्थिर
,
4
व्हेरिएबल्स
वापरते
सतत वापरलेले
pi
- आर्किमिडीजचा स्थिरांक मूल्य घेतले म्हणून 3.14159265358979323846264338327950288
व्हेरिएबल्स वापरलेले
आयनिक गतिशीलता
-
(मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद)
- आयनिक मोबिलिटीचे वर्णन एका युनिट इलेक्ट्रिक फील्ड अंतर्गत वायूद्वारे आयनद्वारे प्राप्त होणारी गती म्हणून केले जाते.
झेटा पोटेंशियल
-
(मध्ये मोजली व्होल्ट)
- झेटा पोटेंशिअल म्हणजे स्लिपिंग प्लेनमधील विद्युत क्षमता. हे प्लेन हे इंटरफेस आहे जे मोबाईल फ्लुइडला पृष्ठभागावर चिकटलेल्या द्रवापासून वेगळे करते.
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
- सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगीची व्याख्या अशी केली जाते की सापेक्ष परवानगी किंवा डायलेक्ट्रिक स्थिरता हे एका माध्यमाच्या पूर्ण परवानगी आणि मोकळ्या जागेच्या परवानगीचे गुणोत्तर आहे.
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
-
(मध्ये मोजली पास्कल सेकंड )
- द्रवाची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी हे बाह्य शक्ती लागू केल्यावर त्याच्या प्रवाहाच्या प्रतिकाराचे मोजमाप आहे.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
झेटा पोटेंशियल:
4.69 व्होल्ट --> 4.69 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी:
150 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी:
10 पोईस --> 1 पास्कल सेकंड
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
μ = (ζ*ε
r
)/(4*pi*μ
liquid
) -->
(4.69*150)/(4*
pi
*1)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
μ
= 55.9827512325742
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
55.9827512325742 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
55.9827512325742
≈
55.98275 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद
<--
आयनिक गतिशीलता
(गणना 00.021 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
रसायनशास्त्र
»
पृष्ठभाग रसायनशास्त्र
»
सर्फॅक्टंट सोल्युशन्समध्ये कोलाइडल स्ट्रक्चर्स
»
इलेक्ट्रोफोरेसीस आणि इतर इलेक्ट्रोकिनेटिक्स घटना
»
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली
जमा
ने निर्मित
प्रतिभा
एमिटी इन्स्टिट्यूट ऑफ अप्लाइड सायन्सेस
(एआयएएस, एमिटी युनिव्हर्सिटी)
,
नोएडा, भारत
प्रतिभा यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
प्रेराणा बकली
मानोआ येथील हवाई विद्यापीठ
(उह मानोआ)
,
हवाई, यूएसए
प्रेराणा बकली यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1600+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
7 इलेक्ट्रोफोरेसीस आणि इतर इलेक्ट्रोकिनेटिक्स घटना कॅल्क्युलेटर
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून झिटा पोटेंशिअल दिलेली सॉल्व्हेंटची स्निग्धता
जा
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
= (
झेटा पोटेंशियल
*
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
)/(4*
pi
*
आयनिक गतिशीलता
)
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली
जा
आयनिक गतिशीलता
= (
झेटा पोटेंशियल
*
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
)/(4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
)
झेटा पोटेंशियल दिलेला सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
जा
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
= (4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
*
आयनिक गतिशीलता
)/
झेटा पोटेंशियल
Smoluchowski समीकरण वापरून Zeta Potential
जा
झेटा पोटेंशियल
= (4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
*
आयनिक गतिशीलता
)/
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता दिलेल्या विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग
जा
विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग
=
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
*
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता दिलेली इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
जा
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
=
विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग
/
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
जा
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
=
विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग
/
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
<
16 कोलॉइड्सचे महत्त्वाचे सूत्र कॅल्क्युलेटर
पृष्ठभाग एन्थाल्पी दिलेले गंभीर तापमान
जा
पृष्ठभाग एन्थॅल्पी
= (
प्रत्येक द्रवासाठी स्थिर
)*(1-(
तापमान
/
गंभीर तापमान
))^(
अनुभवजन्य घटक
-1)*(1+((
अनुभवजन्य घटक
-1)*(
तापमान
/
गंभीर तापमान
)))
गंभीर तापमान दिलेले पृष्ठभाग एन्ट्रॉपी
जा
पृष्ठभाग एन्ट्रॉपी
=
अनुभवजन्य घटक
*
प्रत्येक द्रवासाठी स्थिर
*(1-(
तापमान
/
गंभीर तापमान
))^(
अनुभवजन्य घटक
)-(1/
गंभीर तापमान
)
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली
जा
आयनिक गतिशीलता
= (
झेटा पोटेंशियल
*
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
)/(4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
)
Smoluchowski समीकरण वापरून Zeta Potential
जा
झेटा पोटेंशियल
= (4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
*
आयनिक गतिशीलता
)/
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
गंभीर मायसेल एकाग्रता दिलेल्या सर्फॅक्टंटच्या मोल्सची संख्या
जा
सर्फॅक्टंटच्या मोल्सची संख्या
= (
Surfactant एकूण एकाग्रता
-
गंभीर Micelle एकाग्रता
)/
Micelle च्या एकत्रीकरणाची पदवी
Micellar कोर त्रिज्या दिलेला Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
जा
Micelle कोर त्रिज्या
= ((
Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
*3*
हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण
)/(4*
pi
))^(1/3)
हायड्रोफोबिक टेलची मात्रा दिलेला मायसेलर एग्रीगेशन नंबर
जा
हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण
= ((4/3)*
pi
*(
Micelle कोर त्रिज्या
^3))/
Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
जा
Micellar एकत्रीकरण क्रमांक
= ((4/3)*
pi
*(
Micelle कोर त्रिज्या
^3))/
हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण
गंभीर पॅकिंग पॅरामीटर
जा
गंभीर पॅकिंग पॅरामीटर
=
सर्फॅक्टंट टेल व्हॉल्यूम
/(
इष्टतम क्षेत्र
*
शेपटीची लांबी
)
n बेलनाकार कणांच्या अॅरेसाठी विशिष्ट पृष्ठभागाचे क्षेत्रफळ
जा
विशिष्ट पृष्ठभाग क्षेत्र
= (2/
घनता
)*((1/
सिलेंडर त्रिज्या
)+(1/
लांबी
))
कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
जा
इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता
=
विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग
/
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
पृष्ठभागाची चिकटपणा
जा
पृष्ठभागाची चिकटपणा
=
डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
/
पृष्ठभागाच्या टप्प्याची जाडी
विशिष्ट पृष्ठभागाचे क्षेत्रफळ
जा
विशिष्ट पृष्ठभाग क्षेत्र
= 3/(
घनता
*
गोलाची त्रिज्या
)
टॅनफोर्ड समीकरण वापरून हायड्रोकार्बन टेलची गंभीर साखळी लांबी
जा
हायड्रोकार्बन शेपटीची गंभीर साखळी लांबी
= (0.154+(0.1265*
कार्बन अणूंची संख्या
))
हायड्रोकार्बनची गंभीर साखळी लांबी दिलेल्या कार्बन अणूंची संख्या
जा
कार्बन अणूंची संख्या
= (
हायड्रोकार्बन शेपटीची गंभीर साखळी लांबी
-0.154)/0.1265
टॅनफोर्ड समीकरण वापरून हायड्रोकार्बन साखळीची मात्रा
जा
Micelle कोर खंड
= (27.4+(26.9*
कार्बन अणूंची संख्या
))*(10^(-3))
स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली सुत्र
आयनिक गतिशीलता
= (
झेटा पोटेंशियल
*
सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी
)/(4*
pi
*
लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी
)
μ
= (
ζ
*
ε
r
)/(4*
pi
*
μ
liquid
)
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!