MOSFET मध्ये पॉवर लॉस कॅल्क्युलेटर

✖ड्रेन करंट हा प्रवाह आहे जो MOSFET आणि IGBT च्या ड्रेन जंक्शनमधून वाहतो.ⓘ ड्रेन करंट [I_d]			+10% -10%
✖MOSFET मधील ड्रेन सोर्स रेझिस्टन्सची व्याख्या ड्रेन सोर्स टर्मिनल्समधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाला होणारा विरोध म्हणून केली जाते.ⓘ निचरा स्रोत प्रतिकार [R_ds]			+10% -10%

✖जेव्हा ट्रान्झिस्टर उपकरण कार्यरत स्थितीत असते तेव्हा सरासरी पॉवर लॉस म्हणजे पॉवर लॉस.ⓘ MOSFET मध्ये पॉवर लॉस [P_loss]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET मध्ये पॉवर लॉस

सुत्र

`"P"_{"loss"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"ds"}`

उदाहरण

`"187.425W"=("105mA")^2*"17kΩ"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा मूलभूत ट्रान्झिस्टर उपकरणे सूत्रे PDF PDF Image

MOSFET मध्ये पॉवर लॉस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

सरासरी पॉवर लॉस = ड्रेन करंट^2*निचरा स्रोत प्रतिकार
P_loss = I_d^2*R_ds
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

सरासरी पॉवर लॉस - (मध्ये मोजली वॅट) - जेव्हा ट्रान्झिस्टर उपकरण कार्यरत स्थितीत असते तेव्हा सरासरी पॉवर लॉस म्हणजे पॉवर लॉस.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट हा प्रवाह आहे जो MOSFET आणि IGBT च्या ड्रेन जंक्शनमधून वाहतो.
निचरा स्रोत प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - MOSFET मधील ड्रेन सोर्स रेझिस्टन्सची व्याख्या ड्रेन सोर्स टर्मिनल्समधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाला होणारा विरोध म्हणून केली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ड्रेन करंट: 105 मिलीअँपिअर --> 0.105 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
निचरा स्रोत प्रतिकार: 17 किलोहम --> 17000 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

P_loss = I_d^2*R_ds --> 0.105^2*17000

मूल्यांकन करत आहे ... ...

P_loss = 187.425

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

187.425 वॅट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

187.425 वॅट <-- सरासरी पॉवर लॉस

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)