ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे कॅल्क्युलेटर

✖गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖आउटपुट रेझिस्टन्स म्हणजे इलेक्ट्रोनिक सर्किटच्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रतिरोधनाचा संदर्भ आहे जेव्हा लोड त्याच्या आउटपुटशी जोडलेला असतो.ⓘ आउटपुट प्रतिकार [R_out]			+10% -10%
✖ड्रेन रेझिस्टन्सची व्याख्या ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेनमधून प्रवाहाच्या प्रवाहाला विरोध करणारा प्रतिकार म्हणून केली जाते.ⓘ निचरा प्रतिकार [R_d]			+10% -10%

✖व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.ⓘ ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे [A_v]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे

सुत्र

`"A"_{"v"} = ("g"_{"m"}*(("R"_{"out"}*"R"_{"d"})/("R"_{"out"}+"R"_{"d"})))`

उदाहरण

`"0.005487"=("0.5mS"*(("4.5kΩ"*"11Ω")/("4.5kΩ"+"11Ω")))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(आउटपुट प्रतिकार+निचरा प्रतिकार)))
A_v = (g_m*((R_out*R_d)/(R_out+R_d)))
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

व्होल्टेज वाढणे - व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
आउटपुट प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - आउटपुट रेझिस्टन्स म्हणजे इलेक्ट्रोनिक सर्किटच्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रतिरोधनाचा संदर्भ आहे जेव्हा लोड त्याच्या आउटपुटशी जोडलेला असतो.
निचरा प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - ड्रेन रेझिस्टन्सची व्याख्या ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेनमधून प्रवाहाच्या प्रवाहाला विरोध करणारा प्रतिकार म्हणून केली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)
आउटपुट प्रतिकार: 4.5 किलोहम --> 4500 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)
निचरा प्रतिकार: 11 ओहम --> 11 ओहम कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

A_v = (g_m*((R_out*R_d)/(R_out+R_d))) --> (0.0005*((4500*11)/(4500+11)))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

A_v = 0.00548658833961428

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.00548658833961428 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.00548658833961428 ≈ 0.005487 <-- व्होल्टेज वाढणे

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » लहान सिग्नल विश्लेषण » ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे

जमा

ने निर्मित ऋत्विक त्रिपाठी

वेल्लोर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (व्हीआयटी वेल्लोर), वेल्लोर

ऋत्विक त्रिपाठी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 लहान सिग्नल विश्लेषण कॅल्क्युलेटर

इनपुट रेझिस्टन्सच्या संदर्भात लहान सिग्नल व्होल्टेज वाढ

जा व्होल्टेज वाढणे = (इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध/(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध+स्वयंप्रेरित प्रतिकार))*((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))/(1/Transconductance+((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार)))

स्मॉल सिग्नल रेझिस्टन्सच्या संदर्भात गेट टू सोर्स व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))))

लहान सिग्नलमध्ये कॉमन ड्रेन आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गंभीर व्होल्टेज*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))

लहान सिग्नल पी-चॅनेलचे आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(निचरा प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))

लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*(1/((1/लोड प्रतिकार)+(1/निचरा प्रतिकार))))/(1+(Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार))

ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(आउटपुट प्रतिकार+निचरा प्रतिकार)))

लहान सिग्नलचा आउटपुट करंट

जा आउटपुट वर्तमान = (Transconductance*गंभीर व्होल्टेज)*(निचरा प्रतिकार/(लोड प्रतिकार+निचरा प्रतिकार))

लहान सिग्नलचा इनपुट करंट

जा लहान सिग्नलचा इनपुट करंट = (गंभीर व्होल्टेज*((1+Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार)/स्वयंप्रेरित प्रतिकार))

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलसाठी प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = 1/इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)/ड्रेन करंट)

लहान सिग्नल पॅरामीटर्स दिलेले ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = 2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज)

लहान सिग्नलमध्ये गेट टू सोर्स व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज/(1+स्वयंप्रेरित प्रतिकार*Transconductance)

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

लहान सिग्नल आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*लोड प्रतिकार

MOSFET स्मॉल सिग्नलचा ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*आउटपुट प्रतिकार)

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे सुत्र

व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(आउटपुट प्रतिकार+निचरा प्रतिकार)))
A_v = (g_m*((R_out*R_d)/(R_out+R_d)))

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!