Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Backgate-transconductantie Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Transconductantie
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Kleine signaalanalyse
MOSFET-karakteristieken
MOS-transistor
N-Channel-verbetering
P-Channel-verbetering
Spanning
Versterkingsfactor/winst
Vooringenomen
Weerstand
✖
Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.
ⓘ
Transconductantie [g
m
]
Abmho
Ampère/Volt
Gemmho
Gigasiemens
kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Gekwantificeerde Hall Conductance
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
De spanningsefficiëntie is het percentage van de verhouding tussen de ingangsspanning en de uitgangsspanning.
ⓘ
Spanningsefficiëntie [η]
+10%
-10%
✖
Back Gate Transconductance is een maatstaf voor de stroom die door een MOSFET vloeit terwijl de backgate-aansluiting open is.
ⓘ
Backgate-transconductantie [g
b
]
Abmho
Ampère per Volt
Gigasiemens
kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Siemens
Statmho
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Backgate-transconductantie
Formule
`"g"_{"b"} = "g"_{"m"}*"η"`
Voorbeeld
`"0.0003S"="0.5mS"*"0.6"`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Backgate-transconductantie Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Backgate-transconductantie
=
Transconductantie
*
Spanningsefficiëntie
g
b
=
g
m
*
η
Deze formule gebruikt
3
Variabelen
Variabelen gebruikt
Backgate-transconductantie
-
(Gemeten in Siemens)
- Back Gate Transconductance is een maatstaf voor de stroom die door een MOSFET vloeit terwijl de backgate-aansluiting open is.
Transconductantie
-
(Gemeten in Siemens)
- Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.
Spanningsefficiëntie
- De spanningsefficiëntie is het percentage van de verhouding tussen de ingangsspanning en de uitgangsspanning.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantie:
0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Bekijk de conversie
hier
)
Spanningsefficiëntie:
0.6 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
g
b
= g
m
*η -->
0.0005*0.6
Evalueren ... ...
g
b
= 0.0003
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.0003 Siemens --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.0003 Siemens
<--
Backgate-transconductantie
(Berekening voltooid in 00.006 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
Transconductantie
»
Backgate-transconductantie
Credits
Gemaakt door
Ritwik Tripathi
Vellore Instituut voor Technologie
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!
<
16 Transconductantie Rekenmachines
MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter
Gaan
Procestransconductantieparameter
=
Transconductantie
/(
Beeldverhouding
*(
Gate-bronspanning
-
Drempelspanning
))
Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter
Gaan
Transconductantie
=
Procestransconductantieparameter
*
Beeldverhouding
*(
Gate-bronspanning
-
Drempelspanning
)
Transconductantie gegeven afvoerstroom
Gaan
Transconductantie
=
sqrt
(2*
Procestransconductantieparameter
*
Beeldverhouding
*
Afvoerstroom
)
MOSFET-transconductantie met behulp van procestransconductantieparameter en overdrive-spanning
Gaan
Procestransconductantieparameter
=
Transconductantie
/(
Beeldverhouding
*
Overdrive-spanning
)
Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage
Gaan
Transconductantie
=
Procestransconductantieparameter
*
Beeldverhouding
*
Overdrive-spanning
Procestransconductantie gegeven Transconductantie en afvoerstroom
Gaan
Procestransconductantieparameter
=
Transconductantie
^2/(2*
Beeldverhouding
*
Afvoerstroom
)
Afvoerstroom gegeven procestransconductantie en transconductantie
Gaan
Afvoerstroom
=
Transconductantie
^2/(2*
Beeldverhouding
*
Procestransconductantieparameter
)
MOSFET Transconductantie gegeven Transconductance Parameter:
Gaan
Transconductantie
=
Transconductantieparameter
*(
Gate-bronspanning
-
Drempelspanning
)
Lichaamseffect op transconductantie
Gaan
Transconductantie van het lichaam
=
Verandering in drempel naar basisspanning
*
Transconductantie
MOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie
Gaan
Transconductantieparameter
=
Procestransconductantieparameter
*
Beeldverhouding
Backgate-transconductantie
Gaan
Backgate-transconductantie
=
Transconductantie
*
Spanningsefficiëntie
MOSFET Transconductantie gegeven Overdrive Voltage
Gaan
Transconductantie
=
Transconductantieparameter
*
Overdrive-spanning
Procestransconductantieparameter van MOSFET
Gaan
Transconductantieparameter
=
Transconductantie
/
Overdrive-spanning
MOSFET-transconductantie
Gaan
Transconductantie
=
Verandering in afvoerstroom
/
Gate-bronspanning
Stroom afvoeren met behulp van transconductantie
Gaan
Afvoerstroom
= (
Overdrive-spanning
)*
Transconductantie
/2
Transconductantie in MOSFET
Gaan
Transconductantie
= (2*
Afvoerstroom
)/
Overdrive-spanning
Backgate-transconductantie Formule
Backgate-transconductantie
=
Transconductantie
*
Spanningsefficiëntie
g
b
=
g
m
*
η
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!