Back-Gate-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
gb = gm*η
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Back-Gate-Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Spannungseffizienz - Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Spannungseffizienz: 0.6 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gb = gm*η --> 0.0005*0.6
Auswerten ... ...
gb = 0.0003
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0003 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0003 Siemens <-- Back-Gate-Transkonduktanz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

16 Steilheit Taschenrechner

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
​ Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)
Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz
​ Gehen Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis
Body-Effekt auf die Transkonduktanz
​ Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit
MOSFET-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung
Back-Gate-Transkonduktanz
​ Gehen Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung
Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
​ Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2
Transkonduktanz im MOSFET
​ Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Back-Gate-Transkonduktanz Formel

Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
gb = gm*η
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!