Taschenrechner A bis Z
🔍
Herunterladen PDF
Chemie
Maschinenbau
Finanz
Gesundheit
Mathe
Physik
Back-Gate-Transkonduktanz Taschenrechner
Maschinenbau
Chemie
Finanz
Gesundheit
Mathe
Physik
Spielplatz
↳
Elektronik
Bürgerlich
Chemieingenieurwesen
Elektrisch
Elektronik und Instrumentierung
Fertigungstechnik
Materialwissenschaften
Mechanisch
⤿
Analoge Elektronik
Analoge Kommunikation
Antenne
CMOS-Design und Anwendungen
Digitale Bildverarbeitung
Digitale Kommunikation
EDC
Eingebettetes System
Fernsehtechnik
Festkörpergeräte
Glasfaserdesign
Glasfaserübertragung
HF-Mikroelektronik
Informationstheorie und Kodierung
Integrierte Schaltkreise (IC)
Kabellose Kommunikation
Kontrollsystem
Leistungselektronik
Mikrowellentheorie
Optoelektronische Geräte
Radarsystem
Satellitenkommunikation
Signal und Systeme
Telekommunikationsvermittlungssysteme
Theorie des elektromagnetischen Feldes
Übertragungsleitung und Antenne
Verstärker
VLSI-Herstellung
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Steilheit
Aktuell
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR)
Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell
Kleinsignalanalyse
MOSFET-Eigenschaften
MOS-Transistor
N-Kanal-Verbesserung
P-Kanal-Verbesserung
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
ⓘ
Steilheit [g
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Mikromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantisierte Hallleitfähigkeit
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.
ⓘ
Spannungseffizienz [η]
+10%
-10%
✖
Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.
ⓘ
Back-Gate-Transkonduktanz [g
b
]
Abmho
Ampere pro Volt
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Mikromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Siemens
Statmho
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Back-Gate-Transkonduktanz
Formel
`"g"_{"b"} = "g"_{"m"}*"η"`
Beispiel
`"0.0003S"="0.5mS"*"0.6"`
Taschenrechner
LaTeX
Rücksetzen
👍
Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Back-Gate-Transkonduktanz Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Back-Gate-Transkonduktanz
=
Steilheit
*
Spannungseffizienz
g
b
=
g
m
*
η
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Back-Gate-Transkonduktanz
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Back-Gate-Transkonduktanz ist ein Maß für den Strom, der durch einen MOSFET fließt, wenn der Back-Gate-Anschluss geöffnet ist.
Steilheit
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Spannungseffizienz
- Der Spannungswirkungsgrad ist der Prozentsatz des Verhältnisses von Eingangsspannung zu Ausgangsspannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit:
0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Spannungseffizienz:
0.6 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
g
b
= g
m
*η -->
0.0005*0.6
Auswerten ... ...
g
b
= 0.0003
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0003 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0003 Siemens
<--
Back-Gate-Transkonduktanz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
Du bist da
-
Zuhause
»
Maschinenbau
»
Elektronik
»
MOSFET
»
Analoge Elektronik
»
Steilheit
»
Back-Gate-Transkonduktanz
Credits
Erstellt von
Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
<
16 Steilheit Taschenrechner
MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
Gehen
Transkonduktanzparameter verarbeiten
=
Steilheit
/(
Seitenverhältnis
*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
))
Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
Gehen
Steilheit
=
Transkonduktanzparameter verarbeiten
*
Seitenverhältnis
*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
Gehen
Steilheit
=
sqrt
(2*
Transkonduktanzparameter verarbeiten
*
Seitenverhältnis
*
Stromverbrauch
)
MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
Gehen
Transkonduktanzparameter verarbeiten
=
Steilheit
/(
Seitenverhältnis
*
Overdrive-Spannung
)
Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
Gehen
Transkonduktanzparameter verarbeiten
=
Steilheit
^2/(2*
Seitenverhältnis
*
Stromverbrauch
)
Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz
Gehen
Stromverbrauch
=
Steilheit
^2/(2*
Seitenverhältnis
*
Transkonduktanzparameter verarbeiten
)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
Gehen
Steilheit
=
Transkonduktanzparameter verarbeiten
*
Seitenverhältnis
*
Overdrive-Spannung
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
Gehen
Steilheit
=
Transkonduktanzparameter
*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)
MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz
Gehen
Transkonduktanzparameter
=
Transkonduktanzparameter verarbeiten
*
Seitenverhältnis
Body-Effekt auf die Transkonduktanz
Gehen
Körpertranskonduktanz
=
Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung
*
Steilheit
MOSFET-Transkonduktanz
Gehen
Steilheit
=
Änderung des Drainstroms
/
Gate-Source-Spannung
Back-Gate-Transkonduktanz
Gehen
Back-Gate-Transkonduktanz
=
Steilheit
*
Spannungseffizienz
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung
Gehen
Steilheit
=
Transkonduktanzparameter
*
Overdrive-Spannung
Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten
Gehen
Transkonduktanzparameter
=
Steilheit
/
Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
Gehen
Stromverbrauch
= (
Overdrive-Spannung
)*
Steilheit
/2
Transkonduktanz im MOSFET
Gehen
Steilheit
= (2*
Stromverbrauch
)/
Overdrive-Spannung
Back-Gate-Transkonduktanz Formel
Back-Gate-Transkonduktanz
=
Steilheit
*
Spannungseffizienz
g
b
=
g
m
*
η
Zuhause
FREI PDFs
🔍
Suche
Kategorien
Teilen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!