Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
G = μs*Cox*Wc/L*(Vgs-Vth)
Deze formule gebruikt 7 Variabelen
Variabelen gebruikt
Geleiding van kanaal - (Gemeten in Siemens) - De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal: 38 Vierkante meter per volt per seconde --> 38 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie hier)
Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
G = μs*Cox*Wc/L*(Vgs-Vth) --> 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3)
Evalueren ... ...
G = 0.0060724
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.0060724 Siemens -->6.0724 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
6.0724 Millisiemens <-- Geleiding van kanaal
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

20 Spanning Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning
Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
Gemeenschappelijke poortuitgangsspanning
Gaan Uitgangsspanning = -(Transconductantie*Kritische spanning)*((Belastingsweerstand*Poort weerstand)/(Poort weerstand+Belastingsweerstand))
Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal
Gaan Afvoerspanning Q1 = -Uitgangsweerstand*(Transconductantie*Common Mode-ingangssignaal)/(1+(2*Transconductantie*Uitgangsweerstand))
Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning
Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))
Ingangspoort-naar-bronspanning
Gaan Kritische spanning = (Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand)) *Ingangsspanning
Broningangsspanning
Gaan Broningangsspanning = Ingangsspanning*(Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))
Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal
Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand/((1/Transconductantie)+2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Overdrive-spanning wanneer MOSFET fungeert als versterker met belastingsweerstand
Gaan Transconductantie = Totale stroom/(Common Mode-ingangssignaal-(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand))
Incrementeel spanningssignaal van differentiële versterker
Gaan Common Mode-ingangssignaal = (Totale stroom/Transconductantie)+(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand)
Spanning over poort en bron van MOSFET gegeven ingangsstroom
Gaan Gate-bronspanning = Invoerstroom/(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Positieve spanning gegeven apparaatparameter in MOSFET
Gaan Invoerstroom = Gate-bronspanning*(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Spanning bij afvoer Q1 van MOSFET
Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Spanning bij afvoer Q2 in MOSFET
Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Verzadigingsspanning van MOSFET
Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
Spanning over poort naar bron van MOSFET op differentiële ingangsspanning gegeven overdrive-spanning
Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+1.4*Effectieve spanning
Drempelspanning wanneer MOSFET fungeert als versterker
Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Drempelspanning van MOSFET
Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Overstuurspanning
Gaan Overdrive-spanning = (2*Afvoerstroom)/Transconductantie
Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET
Gaan Afvoerspanning Q1 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)
Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET
Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning
Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET
Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)
Overgangsfrequentie van MOSFET
Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Maximale spanningsversterking op biaspunt
Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)
Spanningsversterking met klein signaal
Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)
Spanningsversterking gegeven afvoerspanning
Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning
Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET
Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)
Lichaamseffect op transconductantie
Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie
Maximale spanningsversterking bij alle spanningen
Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning
Verzadigingsspanning van MOSFET
Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
Voorspanning van MOSFET
Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning
Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal
Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand
Transconductantie in MOSFET
Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning
Drempelspanning van MOSFET
Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET
Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning Formule

Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
G = μs*Cox*Wc/L*(Vgs-Vth)

Wat zijn de toepassingen van geleiding in MOSFET?

De toepassingen van geleiding in MOSFET's zijn enorm en gevarieerd. Ze omvatten hoogfrequente versterkers, schakelaars, spanningsregelaars, oscillatoren en digitale logische circuits. Geleiding speelt ook een cruciale rol in het vermogen van MOSFET's om de stroom te controleren en de signaalpolariteit te manipuleren, waardoor ze een essentieel onderdeel zijn van moderne elektronische systemen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!