Geleiding van kanaal van MOSFET's Rekenmachine

✖De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.ⓘ Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal [μ_s]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Kanaallengte [L]			+10% -10%
✖Spanning over oxide vanwege de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is vanwege de ladingsdichtheid in het oxide.ⓘ Spanning over Oxide [V_ox]			+10% -10%

✖De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.ⓘ Geleiding van kanaal van MOSFET's [G]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Formule

`"G" = "μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*"V"_{"ox"}`

Voorbeeld

`"19.2888mS"="38m²/V*s"*"940μF"*("10μm"/"100μm")*"5.4V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Geleiding van kanaal van MOSFET's Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Geleiding van kanaal - (Gemeten in Siemens) - De geleidbaarheid van een kanaal wordt meestal gedefinieerd als de verhouding van de stroom die door het kanaal gaat tot de spanning erover.
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van een kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om door het oppervlak van een halfgeleidermateriaal te bewegen of te reizen, zoals een siliciumkanaal in een transistor.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Spanning over Oxide - (Gemeten in Volt) - Spanning over oxide vanwege de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is vanwege de ladingsdichtheid in het oxide.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal: 38 Vierkante meter per volt per seconde --> 38 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Kanaallengte: 100 Micrometer --> 0.0001 Meter (Bekijk de conversie hier)
Spanning over Oxide: 5.4 Volt --> 5.4 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4

Evalueren ... ...

G = 0.0192888

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0192888 Siemens -->19.2888 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.2888 Millisiemens <-- Geleiding van kanaal

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Geleiding van kanaal van MOSFET's

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's

Gaan Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte

Overlapcapaciteit van MOSFET

Gaan Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte

Faseverschuiving in ingangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/Ingangsweerstand)

Kritieke frequentie in RC-circuit met hoge frequentie-ingang

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*Ingangsweerstand*Miller-capaciteit)

Capacitieve reactantie van Mosfet

Gaan Capacitieve reactantie = 1/(2*pi*Frequentie*Capaciteit)

Miller-capaciteit van Mosfet

Gaan Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*(Spanningsversterking+1)

Kritische frequentie van Mosfet

Gaan Kritische frequentie in decibels = 10*log10(Kritische frequentie)

Verzwakking van RC-circuit

Gaan Verzwakking = Basisspanning/Ingangsspanning

Geleiding van kanaal van MOSFET's Formule

Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox

Wat is de formule van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een belangrijke test voor het valideren van de MOSFET-prestaties in ontwerpen van vermogenselektronica. Het zorgt ervoor dat een MOSFET naar behoren functioneert en helpt ingenieurs de beste te kiezen wanneer spanningsversterking een belangrijke specificatie is voor hun circuitontwerpen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!