Проводимость канала МОП-транзисторов Калькулятор

✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.ⓘ Мобильность электронов на поверхности канала [μ_s]			+10% -10%
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [V_ox]			+10% -10%

✖Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.ⓘ Проводимость канала МОП-транзисторов [G]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Проводимость канала МОП-транзисторов

Формула

`"G" = "μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*"V"_{"ox"}`

Пример

`"19.2888mS"="38m²/V*s"*"940μF"*("10μm"/"100μm")*"5.4V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Проводимость канала МОП-транзисторов Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Проводимость канала - (Измеряется в Сименс) - Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.
Мобильность электронов на поверхности канала - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Длина канала - (Измеряется в метр) - Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Мобильность электронов на поверхности канала: 38 Квадратный метр на вольт в секунду --> 38 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование здесь)
ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина канала: 100 микрометр --> 0.0001 метр (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение на оксиде: 5.4 вольт --> 5.4 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4

Оценка ... ...

G = 0.0192888

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0192888 Сименс -->19.2888 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

19.2888 Миллисименс <-- Проводимость канала

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Проводимость канала МОП-транзисторов

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзисторов

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде

Фазовый сдвиг в выходной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/(Сопротивление+Сопротивление нагрузки))

Величина электронного заряда в канале MOSFET

Идти Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Нижняя критическая частота МОП-транзистора

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*(Сопротивление+Входное сопротивление)*Емкость)

Выходная емкость МОП-транзистора Миллера

Идти Выходная емкость Миллера = Емкость затвор-сток*((Усиление напряжения+1)/Усиление напряжения)

Фазовый сдвиг во входной RC-цепи

Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/Входное сопротивление)

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET

Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала

Емкость перекрытия MOSFET

Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Критическая частота в RC-цепи высокочастотного входа

Идти Угловая частота = 1/(2*pi*Входное сопротивление*Емкость Миллера)

Емкостное реактивное сопротивление МОП-транзистора

Идти Емкостное реактивное сопротивление = 1/(2*pi*Частота*Емкость)

Критическая частота Мосфета

Идти Критическая частота в дециблях = 10*log10(Критическая частота)

Миллер Емкость МОП-транзистора

Идти Емкость Миллера = Емкость затвор-сток*(Усиление напряжения+1)

Ослабление RC-цепи

Идти Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение

Проводимость канала МОП-транзисторов формула

Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде
G = μ_s*C_ox*(W_c/L)*V_ox

Какова формула крутизны в MOSFET?

Транскондуктивность является ключевым тестом для проверки характеристик полевых МОП-транзисторов в конструкциях силовой электроники. Это гарантирует, что полевой МОП-транзистор работает правильно, и помогает инженерам выбрать лучший вариант, когда коэффициент усиления по напряжению является ключевой характеристикой их схемы.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!