Калькулятор от А до Я

Проводимость канала МОП-транзисторов Калькулятор

Инженерное делоДетская площадкаЗдоровьематематика​Больше >>
ЭлектроникаГражданскаяМатериаловедениеМеханический​Больше >>
Аналоговая электроникаEDCАналоговая связьАнтенна и распространение волн​Больше >>
МОП-транзисторБЮТ
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модельАнализ малых сигналовКоэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Коэффициент усиления или усиление​Больше >>
✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.ⓘ Мобильность электронов на поверхности канала [μs]
+10%
-10%
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [Cox]
+10%
-10%
✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ ширина канала [Wc]
+10%
-10%
✖Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Длина канала [L]
+10%
-10%
✖Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [Vox]
+10%
-10%
✖Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.ⓘ Проводимость канала МОП-транзисторов [G]
⎘ копия
👎
Формула
сбросить
👍

Проводимость канала МОП-транзисторов Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox
В этой формуле используются 6 Переменные
Используемые переменные
Проводимость канала - (Измеряется в Сименс) - Проводимость канала обычно определяется как отношение тока, проходящего через канал, к напряжению на нем.
Мобильность электронов на поверхности канала - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде из-за заряда на границе оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Мобильность электронов на поверхности канала: 38 Квадратный метр на вольт в секунду --> 38 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина канала: 100 микрометр --> 0.0001 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение на оксиде: 5.4 вольт --> 5.4 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4
Оценка ... ...
G = 0.0192888
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0192888 Сименс -->19.2888 Миллисименс (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
19.2888 Миллисименс <-- Проводимость канала
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь -
Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Проводимость канала МОП-транзисторов

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия LinkedIn Logo
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод LinkedIn Logo
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Частота перехода MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
​ LaTeX ​ Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала
Емкость перекрытия MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Проводимость канала МОП-транзисторов формула

​LaTeX ​Идти
Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox

Какова формула крутизны в MOSFET?

Транскондуктивность является ключевым тестом для проверки характеристик полевых МОП-транзисторов в конструкциях силовой электроники. Это гарантирует, что полевой МОП-транзистор работает правильно, и помогает инженерам выбрать лучший вариант, когда коэффициент усиления по напряжению является ключевой характеристикой их схемы.

© 2016-2025 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Home Icon
Дом PDF Icon
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍 Поиск
Category Icon
Категории
Share Icon
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!