Gaten Diffusie Constante Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van gaten [μ_p]			+10% -10%
✖Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%

✖Gatendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee gaten door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.ⓘ Gaten Diffusie Constante [D_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gaten Diffusie Constante

Formule

`"D"_{"p"} = "μ"_{"p"}*(("[BoltZ]"*"T")/"[Charge-e]")`

Voorbeeld

`"37485.39cm²/s"="150m²/V*s"*(("[BoltZ]"*"290K")/"[Charge-e]")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf

Gaten Diffusie Constante Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])
D_p = μ_p*(([BoltZ]*T)/[Charge-e])
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Variabelen gebruikt

Gaten Diffusie Constante - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Gatendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee gaten door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.
Mobiliteit van gaten - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van gaten: 150 Vierkante meter per volt per seconde --> 150 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Temperatuur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

D_p = μ_p*(([BoltZ]*T)/[Charge-e]) --> 150*(([BoltZ]*290)/[Charge-e])

Evalueren ... ...

D_p = 3.74853869856121

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.74853869856121 Vierkante meter per seconde -->37485.3869856121 Vierkante centimeter per seconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

37485.3869856121 ≈ 37485.39 Vierkante centimeter per seconde <-- Gaten Diffusie Constante

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Gaten Diffusie Constante

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Gaten Diffusie Constante Formule

Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])
D_p = μ_p*(([BoltZ]*T)/[Charge-e])

Wat is de oorzaak van elektrische geleidbaarheid?

Elektrische geleidbaarheid in metalen is het resultaat van de beweging van elektrisch geladen deeltjes. De atomen van metalen elementen worden gekenmerkt door de aanwezigheid van valentie-elektronen, dit zijn elektronen in de buitenste schil van een atoom die vrij kunnen bewegen. Door deze "vrije elektronen" kunnen metalen een elektrische stroom geleiden. Omdat valentie-elektronen vrij kunnen bewegen, kunnen ze door het rooster reizen dat de fysieke structuur van een metaal vormt. Onder een elektrisch veld bewegen vrije elektronen door het metaal, net als biljartballen die tegen elkaar stoten en een elektrische lading doorgeven terwijl ze bewegen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!