Huidige dichtheid als gevolg van gaten Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Gatenconcentratie verwijst naar het totale aantal gaten in een bepaald gebied.ⓘ Gaten Concentratie [N_p]			+10% -10%
✖Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van gaten [μ_p]			+10% -10%
✖Elektrische veldintensiteit verwijst naar de kracht per eenheid lading die wordt ervaren door geladen deeltjes (zoals elektronen of gaten) in het materiaal.ⓘ Elektrische veldintensiteit [E]			+10% -10%

✖Gaten Stroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom die voortvloeit als gevolg van gaten per eenheid van dwarsdoorsnede. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.ⓘ Huidige dichtheid als gevolg van gaten [J_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Formule

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"N"_{"p"}*"μ"_{"p"}*"E"`

Voorbeeld

`"1.647678A/m²"="[Charge-e]"*"2e16/m³"*"150m²/V*s"*"3.428V/m"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf PDF Image

Huidige dichtheid als gevolg van gaten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Gaten Huidige Dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Gaten Stroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom die voortvloeit als gevolg van gaten per eenheid van dwarsdoorsnede. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.
Gaten Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie verwijst naar het totale aantal gaten in een bepaald gebied.
Mobiliteit van gaten - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Elektrische veldintensiteit - (Gemeten in Volt per meter) - Elektrische veldintensiteit verwijst naar de kracht per eenheid lading die wordt ervaren door geladen deeltjes (zoals elektronen of gaten) in het materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gaten Concentratie: 2E+16 1 per kubieke meter --> 2E+16 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van gaten: 150 Vierkante meter per volt per seconde --> 150 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldintensiteit: 3.428 Volt per meter --> 3.428 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E --> [Charge-e]*2E+16*150*3.428

Evalueren ... ...

J_p = 1.647678436008

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.647678436008 Ampère per vierkante meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.647678436008 ≈ 1.647678 Ampère per vierkante meter <-- Gaten Huidige Dichtheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Huidige dichtheid als gevolg van gaten Formule

Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit
J_p = [Charge-e]*N_p*μ_p*E

Hoe verschilt de stroomdichtheid in gaten van de stroomdichtheid in elektronen?

In halfgeleider stroom vloeit niet alleen door elektronen, maar door drift van elektronen en door gaten. De beweging van gaten is altijd tegengesteld aan die van overeenkomstige elektronen. Gaten dragen stroom bij aan hun bewegingsrichting, terwijl elektronen stroom leveren die tegengesteld is aan hun bewegingsrichting. Daarom zullen beide stromen in dezelfde richting zijn. Elektronen die betrokken zijn bij het veroorzaken van stroom in de halfgeleider, bewegen door de geleidingsband terwijl gaten die de stroom in de halfgeleider veroorzaken, door de valance-band bewegen. Dat is de reden waarom de mobiliteit van elektronen en gaten in halfgeleider anders is.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!