Energiekloof Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Geleidingsband Energie is de energieband in een materiaal waarin de elektronen vrij kunnen bewegen en deelnemen aan elektrische geleiding.ⓘ Geleidingsband energie [E_c]			+10% -10%
✖Valentieband Energie wordt gedefinieerd als het hoogste energieniveau in de valentieband.ⓘ Valentieband energie [E_v]			+10% -10%

✖Energiekloof in vastestoffysica, een energiekloof is een energiebereik in een vaste stof waar geen elektronentoestanden bestaan.ⓘ Energiekloof [E_g]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Energiekloof

Formule

`"E"_{"g"} = "E"_{"c"}-"E"_{"v"}`

Voorbeeld

`"0.198eV"="17.5eV"-"17.302eV"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Energiekloof Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie
E_g = E_c-E_v
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Energie kloof - (Gemeten in Joule) - Energiekloof in vastestoffysica, een energiekloof is een energiebereik in een vaste stof waar geen elektronentoestanden bestaan.
Geleidingsband energie - (Gemeten in Joule) - Geleidingsband Energie is de energieband in een materiaal waarin de elektronen vrij kunnen bewegen en deelnemen aan elektrische geleiding.
Valentieband energie - (Gemeten in Joule) - Valentieband Energie wordt gedefinieerd als het hoogste energieniveau in de valentieband.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Geleidingsband energie: 17.5 Electron-volt --> 2.80381032750001E-18 Joule (Bekijk de conversie hier)
Valentieband energie: 17.302 Electron-volt --> 2.77208721636601E-18 Joule (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_g = E_c-E_v --> 2.80381032750001E-18-2.77208721636601E-18

Evalueren ... ...

E_g = 3.17231111340001E-20

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.17231111340001E-20 Joule -->0.198 Electron-volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.198 Electron-volt <-- Energie kloof

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Energiekloof

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Energiekloof Formule

Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie
E_g = E_c-E_v

Hoe wordt een energiekloof gevormd?

Elke band wordt gevormd door de splitsing van een of meer atoomenergieniveaus. Daarom is het minimum aantal toestanden in een band gelijk aan tweemaal het aantal atomen in het materiaal. De kernelektronen zijn stevig gebonden aan het atoom en mogen niet vrij in het materiaal bewegen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!