Divario energetico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Eg = Ec-Ev
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Divario Energetico - (Misurato in Joule) - Gap energetico nella fisica dello stato solido, un gap energetico è un intervallo di energia in un solido in cui non esistono stati di elettroni.
Energia della banda di conduzione - (Misurato in Joule) - Conduction Band Energy è la banda di energia in un materiale in cui gli elettroni sono liberi di muoversi e partecipare alla conduzione elettrica.
Energia della banda di valenza - (Misurato in Joule) - L'energia della banda di valenza è definita come il più alto livello di energia nella banda di valenza.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Energia della banda di conduzione: 17.5 Electron-Volt --> 2.80381032750001E-18 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Energia della banda di valenza: 17.302 Electron-Volt --> 2.77208721636601E-18 Joule (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Eg = Ec-Ev --> 2.80381032750001E-18-2.77208721636601E-18
Valutare ... ...
Eg = 3.17231111340001E-20
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
3.17231111340001E-20 Joule -->0.198 Electron-Volt (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.198 Electron-Volt <-- Divario Energetico
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Concentrazione di elettroni in stato stazionario
​ Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb
​ Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Concentrazione in banda di conduzione
​ Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi
Densità effettiva di stato
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Concentrazione dei buchi nella banda di valenza
​ Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Ricombinazione a vita
​ Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Concentrazione liquida
​ Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione
Tasso netto di variazione della banda di conduzione
​ Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
Tasso di generazione termica
​ Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Velocità di generazione ottica
​ Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia della banda di valenza
​ Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Divario energetico
​ Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Divario energetico Formula

Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Eg = Ec-Ev

Come si forma il divario energetico?

Ogni banda si forma a causa della scissione di uno o più livelli di energia atomica. Pertanto, il numero minimo di stati in una banda è pari al doppio del numero di atomi nel materiale. Gli elettroni del nucleo sono strettamente legati all'atomo e non sono autorizzati a muoversi liberamente nel materiale.

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