Ideale diodevergelijking Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Omgekeerde verzadigingsstroom is het deel van de tegenstroom in een halfgeleiderdiode dat wordt veroorzaakt door diffusie van minderheidsdragers van de neutrale gebieden naar het uitputtingsgebied.ⓘ Omgekeerde verzadigingsstroom [I_o]			+10% -10%
✖Diodespanning is de spanning die wordt toegepast over de klemmen van de diode.ⓘ Diode spanning [V_d]			+10% -10%
✖Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%

✖Diodestroom wordt gedefinieerd als de netto stroom die door een halfgeleiderdiode vloeit.ⓘ Ideale diodevergelijking [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ideale diodevergelijking

Formule

`"I"_{"d"} = "I"_{"o"}*(e^(("[Charge-e]"*"V"_{"d"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Voorbeeld

`"12299.53A"="0.46µA"*(e^(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"290K"))-1)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Diode-eigenschappen Formules Pdf PDF Image

Ideale diodevergelijking Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Diode Stroom = Omgekeerde verzadigingsstroom*(e^(([Charge-e]*Diode spanning)/([BoltZ]*Temperatuur))-1)
I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1)
Deze formule gebruikt 3 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249

Variabelen gebruikt

Diode Stroom - (Gemeten in Ampère) - Diodestroom wordt gedefinieerd als de netto stroom die door een halfgeleiderdiode vloeit.
Omgekeerde verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Omgekeerde verzadigingsstroom is het deel van de tegenstroom in een halfgeleiderdiode dat wordt veroorzaakt door diffusie van minderheidsdragers van de neutrale gebieden naar het uitputtingsgebied.
Diode spanning - (Gemeten in Volt) - Diodespanning is de spanning die wordt toegepast over de klemmen van de diode.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Omgekeerde verzadigingsstroom: 0.46 Microampère --> 4.6E-07 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Diode spanning: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Geen conversie vereist
Temperatuur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1) --> 4.6E-07*(e^(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*290))-1)

Evalueren ... ...

I_d = 12299.5336689406

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

12299.5336689406 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

12299.5336689406 ≈ 12299.53 Ampère <-- Diode Stroom

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Diode-eigenschappen » Ideale diodevergelijking

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 Diode-eigenschappen Rekenmachines

Niet-ideale diodevergelijking

Gaan Niet-ideale diodestroom = Omgekeerde verzadigingsstroom*(e^(([Charge-e]*Diode spanning)/(Idealiteitsfactor*[BoltZ]*Temperatuur))-1)

Ideale diodevergelijking

Gaan Diode Stroom = Omgekeerde verzadigingsstroom*(e^(([Charge-e]*Diode spanning)/([BoltZ]*Temperatuur))-1)

Capaciteit van Varactor-diode

Gaan Capaciteit van Varactordiode = Materiële constante/((Barrière potentieel+Omgekeerde spanning)^Dopingconstante)

Zelfresonantiefrequentie van Varactor-diode

Gaan Zelfresonantiefrequentie = 1/(2*pi*sqrt(Inductantie van Varactordiode*Capaciteit van Varactordiode))

Verzadiging Afvoerstroom

Gaan Diodeverzadigingsstroom = 0.5*Transconductantieparameter*(Poortbronspanning-Drempelspanning)

Afkapfrequentie van Varactordiode

Gaan Afgesneden frequentie = 1/(2*pi*Serie veldweerstand*Capaciteit van Varactordiode)

Zener stroom

Gaan Zener stroom = (Ingangsspanning-Zener-spanning)/Zener-weerstand

Thermische spanning van diodevergelijking

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Diodevergelijking voor Germanium bij kamertemperatuur

Gaan Germaniumdiodestroom = Omgekeerde verzadigingsstroom*(e^(Diode spanning/0.026)-1)

Kwaliteitsfactor van Varactor-diode

Gaan Kwaliteitsfactor = Afgesneden frequentie/Werk frequentie

Responsiviteit

Gaan Responsiviteit = Foto Actueel/Incident optische kracht

Zener-weerstand

Gaan Zener-weerstand = Zener-spanning/Zener stroom

Zener-spanning

Gaan Zener-spanning = Zener-weerstand*Zener stroom

Gemiddelde gelijkstroom

Gaan Gelijkstroom = 2*Piekstroom/pi

Voltage equivalent van temperatuur

Gaan Volt-equivalent van temperatuur = Kamertemperatuur/11600

Maximaal golflicht

Gaan Maximaal golflicht = 1.24/Energie kloof

Ideale diodevergelijking Formule

Diode Stroom = Omgekeerde verzadigingsstroom*(e^(([Charge-e]*Diode spanning)/([BoltZ]*Temperatuur))-1)
I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1)

Wat is thermische spanning?

In halfgeleiders hangt de Shockley-diodevergelijking - de relatie tussen de stroom van elektrische stroom en de elektrostatische potentiaal over de ap-n-overgang - af van een karakteristieke spanning die de thermische spanning wordt genoemd, aangeduid met V

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!