| ✖Der umgekehrte Sättigungsstrom ist der Teil des umgekehrten Stroms in einer Halbleiterdiode, der durch die Diffusion von Minoritätsträgern aus den neutralen Bereichen in den Verarmungsbereich verursacht wird.ⓘ Umgekehrter Sättigungsstrom [Io] |  |  | +10% -10% |