Ideale Diodengleichung Taschenrechner

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Diodeneigenschaften

Betriebsparameter des Transistors

Elektrostatische Parameter

Halbleitereigenschaften

Ladungsträgereigenschaften

✖Der umgekehrte Sättigungsstrom ist der Teil des umgekehrten Stroms in einer Halbleiterdiode, der durch die Diffusion von Minoritätsträgern aus den neutralen Bereichen in den Verarmungsbereich verursacht wird.ⓘ Umgekehrter Sättigungsstrom [I_o]			+10% -10%
✖Die Diodenspannung ist die Spannung, die an den Anschlüssen der Diode anliegt.ⓘ Diodenspannung [V_d]			+10% -10%
✖Die Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.ⓘ Temperatur [T]			+10% -10%

✖Der Diodenstrom ist definiert als der Nettostrom, der durch eine Halbleiterdiode fließt.ⓘ Ideale Diodengleichung [I_d]

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Formel

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Ideale Diodengleichung

Formel

`"I"_{"d"} = "I"_{"o"}*(e^(("[Charge-e]"*"V"_{"d"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Beispiel

`"12299.53A"="0.46µA"*(e^(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"290K"))-1)`

Taschenrechner

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Ideale Diodengleichung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/([BoltZ]*Temperatur))-1)
I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1)
Diese formel verwendet 3 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Diodenstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Diodenstrom ist definiert als der Nettostrom, der durch eine Halbleiterdiode fließt.
Umgekehrter Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der umgekehrte Sättigungsstrom ist der Teil des umgekehrten Stroms in einer Halbleiterdiode, der durch die Diffusion von Minoritätsträgern aus den neutralen Bereichen in den Verarmungsbereich verursacht wird.
Diodenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Diodenspannung ist die Spannung, die an den Anschlüssen der Diode anliegt.
Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Umgekehrter Sättigungsstrom: 0.46 Mikroampere --> 4.6E-07 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Diodenspannung: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Temperatur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1) --> 4.6E-07*(e^(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*290))-1)

Auswerten ... ...

I_d = 12299.5336689406

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

12299.5336689406 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

12299.5336689406 ≈ 12299.53 Ampere <-- Diodenstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 Diodeneigenschaften Taschenrechner

Nicht ideale Diodengleichung

Gehen Nicht idealer Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/(Idealitätsfaktor*[BoltZ]*Temperatur))-1)

Ideale Diodengleichung

Gehen Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/([BoltZ]*Temperatur))-1)

Kapazität der Varaktordiode

Gehen Kapazität der Varaktordiode = Materialkonstante/((Barrierepotential+Sperrspannung)^Doping-Konstante)

Eigenresonanzfrequenz der Varaktordiode

Gehen Eigenresonanzfrequenz = 1/(2*pi*sqrt(Induktivität der Varaktordiode*Kapazität der Varaktordiode))

Sättigungsdrainstrom

Gehen Diodensättigungsstrom = 0.5*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Grenzfrequenz der Varaktordiode

Gehen Grenzfrequenz = 1/(2*pi*Serienfeldwiderstand*Kapazität der Varaktordiode)

Zenerstrom

Gehen Zenerstrom = (Eingangsspannung-Zenerspannung)/Zener-Widerstand

Thermische Spannung der Diodengleichung

Gehen Thermische Spannung = [BoltZ]*Temperatur/[Charge-e]

Diodengleichung für Germanium bei Raumtemperatur

Gehen Germaniumdiodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(Diodenspannung/0.026)-1)

Reaktionsfähigkeit

Gehen Reaktionsfähigkeit = Foto aktuell/Einfallende optische Leistung

Qualitätsfaktor der Varaktordiode

Gehen Qualitätsfaktor = Grenzfrequenz/Arbeitsfrequenz

Zener Widerstand

Gehen Zener-Widerstand = Zenerspannung/Zenerstrom

Zenerspannung

Gehen Zenerspannung = Zener-Widerstand*Zenerstrom

Durchschnittlicher Gleichstrom

Gehen Gleichstrom = 2*Spitzenstrom/pi

Spannungsäquivalent der Temperatur

Gehen Voltäquivalent der Temperatur = Zimmertemperatur/11600

Maximales Wellenlicht

Gehen Maximales Wellenlicht = 1.24/Energielücke

Ideale Diodengleichung Formel

Diodenstrom = Umgekehrter Sättigungsstrom*(e^(([Charge-e]*Diodenspannung)/([BoltZ]*Temperatur))-1)
I_d = I_o*(e^(([Charge-e]*V_d)/([BoltZ]*T))-1)

Was ist Thermospannung?

In Halbleitern hängt die Shockley-Diodengleichung – die Beziehung zwischen dem Fluss des elektrischen Stroms und dem elektrostatischen Potential am p-n-Übergang – von einer charakteristischen Spannung ab, die als thermische Spannung bezeichnet wird und mit V bezeichnet wird

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