Maximale uitputtingsdiepte Rekenmachine

✖Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.ⓘ Bulk Fermi-potentieel [Φ_f]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%

✖Maximale uitputtingsdiepte verwijst naar de maximale mate waarin het uitputtingsgebied zich onder bepaalde bedrijfsomstandigheden in het halfgeleidermateriaal van het apparaat uitstrekt.ⓘ Maximale uitputtingsdiepte [x_dm]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Maximale uitputtingsdiepte

Formule

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Voorbeeld

7.4E+6 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25 V)}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Maximale uitputtingsdiepte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 2 Functies, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
modulus - De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Maximale uitputtingsdiepte - (Gemeten in Meter) - Maximale uitputtingsdiepte verwijst naar de maximale mate waarin het uitputtingsgebied zich onder bepaalde bedrijfsomstandigheden in het halfgeleidermateriaal van het apparaat uitstrekt.
Bulk Fermi-potentieel - (Gemeten in Volt) - Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Bulk Fermi-potentieel: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000))

Evalueren ... ...

x_dm = 7437907.45302539

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

7437907.45302539 Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

7437907.45302539 ≈ 7.4E+6 Meter <-- Maximale uitputtingsdiepte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Maximale uitputtingsdiepte

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>