Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit Rekenmachine

✖De omtrek van de zijwand is de lengte van de zijwand.ⓘ Omtrek van zijwand [P]			+10% -10%
✖Zijwandverbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die is gekoppeld aan de zijwand van een halfgeleiderovergang.ⓘ Zijwandverbindingscapaciteit [C_jsw]			+10% -10%
✖Zijwandspanningsequivalentiefactor vertegenwoordigt de relatie tussen de spanning die wordt toegepast op een halfgeleiderapparaat en de resulterende verandering in de capaciteit van de zijwandovergang per oppervlakte-eenheid.ⓘ Equivalentiefactor voor zijwandspanning [K_eq(sw)]			+10% -10%

✖Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit is een concept dat wordt gebruikt in circuitanalyse waarbij meerdere condensatoren worden gecombineerd tot een enkele equivalente grote signaalcapaciteit.ⓘ Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit [C_eq(sw)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Formule

`"C"_{"eq(sw)"} = "P"*"C"_{"jsw"}*"K"_{"eq(sw)"}`

Voorbeeld

`"1.5E^-21F"="0.0025m"*"2.9E^-15F"*"0.00021"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit is een concept dat wordt gebruikt in circuitanalyse waarbij meerdere condensatoren worden gecombineerd tot een enkele equivalente grote signaalcapaciteit.
Omtrek van zijwand - (Gemeten in Meter) - De omtrek van de zijwand is de lengte van de zijwand.
Zijwandverbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Zijwandverbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die is gekoppeld aan de zijwand van een halfgeleiderovergang.
Equivalentiefactor voor zijwandspanning - Zijwandspanningsequivalentiefactor vertegenwoordigt de relatie tussen de spanning die wordt toegepast op een halfgeleiderapparaat en de resulterende verandering in de capaciteit van de zijwandovergang per oppervlakte-eenheid.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Omtrek van zijwand: 0.0025 Meter --> 0.0025 Meter Geen conversie vereist
Zijwandverbindingscapaciteit: 2.9E-15 Farad --> 2.9E-15 Farad Geen conversie vereist
Equivalentiefactor voor zijwandspanning: 0.00021 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw) --> 0.0025*2.9E-15*0.00021

Evalueren ... ...

C_eq(sw) = 1.5225E-21

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.5225E-21 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.5225E-21 ≈ 1.5E-21 Farad <-- Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 21 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Gaan Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Gaan Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Gaan Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)

Verzadigingstijd

Gaan Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Gaan Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Gaan Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit

Gaan Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer

Gaan De diepte van het uitputtingsgebied van de drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Ingebouwd verbindingspotentieel+Afvoerbronspanning))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Gaan Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Maximale uitputtingsdiepte

Gaan Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Equivalente grote signaalcapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Gaan Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Gaan Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Substraat bias-coëfficiënt

Gaan Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit

Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd

Gaan Gemiddeld vermogen = (1/Totale tijd besteed)*int(Spanning*Huidig,x,0,Totale tijd genomen)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Werkfunctie in MOSFET

Gaan Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit Formule

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!