Overlapcapaciteit van MOSFET Rekenmachine

✖Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).ⓘ Kanaalbreedte [W_c]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Overlappingslengte is de gemiddelde afstand die de overtollige vervoerders kunnen afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd.ⓘ Overlappingslengte [L_ov]			+10% -10%

✖Overlapcapaciteit verwijst naar de capaciteit die ontstaat tussen twee geleidende gebieden die zich dicht bij elkaar bevinden, maar niet rechtstreeks met elkaar verbonden zijn.ⓘ Overlapcapaciteit van MOSFET [C_oc]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Overlapcapaciteit van MOSFET

Formule

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Voorbeeld

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Overlapcapaciteit van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Overlapcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Overlapcapaciteit verwijst naar de capaciteit die ontstaat tussen twee geleidende gebieden die zich dicht bij elkaar bevinden, maar niet rechtstreeks met elkaar verbonden zijn.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Overlappingslengte - (Gemeten in Meter) - Overlappingslengte is de gemiddelde afstand die de overtollige vervoerders kunnen afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kanaalbreedte: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Oxidecapaciteit: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Bekijk de conversie hier)
Overlappingslengte: 40.6 Micrometer --> 4.06E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Evalueren ... ...

C_oc = 3.8164E-13

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Microfarad <-- Overlapcapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Overlapcapaciteit van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's

Gaan Gate Channel-capaciteit = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte

Overlapcapaciteit van MOSFET

Gaan Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte

Faseverschuiving in ingangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/Ingangsweerstand)

Kritieke frequentie in RC-circuit met hoge frequentie-ingang

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*Ingangsweerstand*Miller-capaciteit)

Capacitieve reactantie van Mosfet

Gaan Capacitieve reactantie = 1/(2*pi*Frequentie*Capaciteit)

Miller-capaciteit van Mosfet

Gaan Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*(Spanningsversterking+1)

Kritische frequentie van Mosfet

Gaan Kritische frequentie in decibels = 10*log10(Kritische frequentie)

Verzwakking van RC-circuit

Gaan Verzwakking = Basisspanning/Ingangsspanning

Overlapcapaciteit van MOSFET Formule

Overlapcapaciteit = Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit*Overlappingslengte
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

Hoe werkt MOSFET als condensator?

Simpel gezegd, de DRAIN en SOURCE van de MOSFET fungeren als de geleidende platen in een condensator vanwege de geïsoleerde poort. MOSFET's gedragen zich als elektrisch geleidende apparaten, wat het equivalent is van een spanningsgestuurde capaciteit.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!