Capacità di sovrapposizione del MOSFET calcolatrice

✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La lunghezza di sovrapposizione è la distanza media che i portatori in eccesso possono coprire prima di ricombinarsi.ⓘ Lunghezza di sovrapposizione [L_ov]			+10% -10%

✖La capacità di sovrapposizione si riferisce alla capacità che si forma tra due regioni conduttive vicine l'una all'altra, ma non direttamente collegate.ⓘ Capacità di sovrapposizione del MOSFET [C_oc]

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Formula

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Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Formula

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Esempio

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

Calcolatrice

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Capacità di sovrapposizione del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di sovrapposizione - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione si riferisce alla capacità che si forma tra due regioni conduttive vicine l'una all'altra, ma non direttamente collegate.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Lunghezza di sovrapposizione - (Misurato in metro) - La lunghezza di sovrapposizione è la distanza media che i portatori in eccesso possono coprire prima di ricombinarsi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione qui)
Lunghezza di sovrapposizione: 40.6 Micrometro --> 4.06E-05 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Valutare ... ...

C_oc = 3.8164E-13

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Microfarad <-- Capacità di sovrapposizione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Capacità di sovrapposizione del MOSFET Formula

Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

In che modo il MOSFET agisce come condensatore?

In poche parole, lo SCARICO e la SORGENTE del MOSFET agiscono come piastre conduttive in un condensatore a causa del gate isolato. I MOSFET si comportano come dispositivi elettroconduttori, che è l'equivalente di una capacità controllata in tensione.

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