Procestransconductantieparameter van PMOS Rekenmachine

✖Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,ⓘ Mobiliteit van gaten in kanaal [μ_p]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.ⓘ Oxide capaciteit [C_ox]			+10% -10%

✖De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter van PMOS [k'_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Procestransconductantieparameter van PMOS

Formule

`"k'"_{"p"} = "μ"_{"p"}*"C"_{"ox"}`

Voorbeeld

`"2.128mS"="2.66m²/V*s"*"0.0008F"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Procestransconductantieparameter van PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit
k'_p = μ_p*C_ox
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Procestransconductantieparameter in PMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Mobiliteit van gaten in kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten in kanaal is afhankelijk van verschillende factoren zoals de kristalstructuur van het halfgeleidermateriaal, de aanwezigheid van onzuiverheden, de temperatuur,
Oxide capaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van gaten in kanaal: 2.66 Vierkante meter per volt per seconde --> 2.66 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxide capaciteit: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Evalueren ... ...

k'_p = 0.002128

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.128 Millisiemens <-- Procestransconductantieparameter in PMOS

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Procestransconductantieparameter van PMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Transittijd van PNP-transistor

Gaan Transittijd = Basisbreedte^2/(2*Diffusieconstante voor PNP)

Procestransconductantieparameter van PMOS Formule

Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit
k'_p = μ_p*C_ox

Waar wordt een MOSFET voor gebruikt?

De MOSFET-transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is een halfgeleiderapparaat dat veel wordt gebruikt voor schakeldoeleinden en voor de versterking van elektronische signalen in elektronische apparaten.

Wat zijn de soorten MOSFET's?

Er zijn twee klassen MOSFET's. Er is een uitputtingsmodus en er is een verbeteringsmodus. Elke klasse is beschikbaar als een n- of p-kanaal, wat in totaal vier soorten MOSFET's oplevert. Uitputtingsmodus komt in een N of een P en een verbeteringsmodus komt in een N of een P

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!