Calculadora Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

✖La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,ⓘ Movilidad de agujeros en canal [μ_p]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%

✖El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS [k'_p]

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Fórmula

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Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Fórmula

`"k'"_{"p"} = "μ"_{"p"}*"C"_{"ox"}`

Ejemplo

`"2.128mS"="2.66m²/V*s"*"0.0008F"`

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Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido
k'_p = μ_p*C_ox
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad de agujeros en canal: 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.66 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 0.0008 Faradio --> 0.0008 Faradio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Evaluar ... ...

k'_p = 0.002128

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.002128 Siemens -->2.128 milisiemens (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.128 milisiemens <-- Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

(Cálculo completado en 00.006 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 14 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS Fórmula

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido
k'_p = μ_p*C_ox

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en N o P y el modo de mejora viene en N o P

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