Verzadiging huidige dichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadiging huidige dichtheid = [Charge-e]*((Diffusiecoëfficiënt van gat)/Verspreidingslengte van het gat*Gatenconcentratie in n-regio+(Elektronendiffusiecoëfficiënt)/Diffusielengte van elektron*Elektronenconcentratie in p-regio)
J0 = [Charge-e]*((Dh)/Lh*pn+(DE)/Le*np)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 7 Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Variabelen gebruikt
Verzadiging huidige dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Verzadigingsstroomdichtheid is de stroom die per oppervlakte-eenheid van de pn-overgang vloeit wanneer een paar volt tegengestelde voorspanning op de kruising wordt toegepast.
Diffusiecoëfficiënt van gat - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - De diffusiecoëfficiënt van het gat is een maatstaf voor het gemak waarmee het gat door het kristalrooster beweegt. Het heeft te maken met de mobiliteit van de drager, gat in dit geval.
Verspreidingslengte van het gat - (Gemeten in Meter) - De diffusielengte van het gat is de karakteristieke afstand die de gaten afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd tijdens het diffusieproces.
Gatenconcentratie in n-regio - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in n-gebied is het aantal gaten per volume-eenheid in het n-type gedoteerde gebied van de pn-overgang.
Elektronendiffusiecoëfficiënt - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - De elektronendiffusiecoëfficiënt is een maatstaf voor het gemak van elektronenbeweging door het kristalrooster. Het houdt verband met de mobiliteit van de drager, in dit geval het elektron.
Diffusielengte van elektron - (Gemeten in Meter) - Diffusielengte van elektron is de karakteristieke afstand die de elektronen afleggen voordat ze opnieuw worden gecombineerd tijdens het diffusieproces.
Elektronenconcentratie in p-regio - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De elektronenconcentratie in het p-gebied is het aantal elektronen per volume-eenheid in het p-type gedoteerde gebied van de pn-overgang.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Diffusiecoëfficiënt van gat: 0.0012 Vierkante meter per seconde --> 0.0012 Vierkante meter per seconde Geen conversie vereist
Verspreidingslengte van het gat: 0.35 Millimeter --> 0.00035 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Gatenconcentratie in n-regio: 256000000000 1 per kubieke meter --> 256000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Elektronendiffusiecoëfficiënt: 0.003387 Vierkante meter per seconde --> 0.003387 Vierkante meter per seconde Geen conversie vereist
Diffusielengte van elektron: 0.71 Millimeter --> 0.00071 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronenconcentratie in p-regio: 25500000000 1 per kubieke meter --> 25500000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
J0 = [Charge-e]*((Dh)/Lh*pn+(DE)/Le*np) --> [Charge-e]*((0.0012)/0.00035*256000000000+(0.003387)/0.00071*25500000000)
Evalueren ... ...
J0 = 1.60115132367406E-07
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.60115132367406E-07 Ampère per vierkante meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.60115132367406E-07 1.6E-7 Ampère per vierkante meter <-- Verzadiging huidige dichtheid
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Priyanka G Chalikar
Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru
Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

13 Fotonica-apparaten Rekenmachines

Spectrale stralingsemissie
​ Gaan Spectrale stralingsemissie = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Golflengte van zichtbaar licht^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Golflengte van zichtbaar licht*[BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)
Verzadiging huidige dichtheid
​ Gaan Verzadiging huidige dichtheid = [Charge-e]*((Diffusiecoëfficiënt van gat)/Verspreidingslengte van het gat*Gatenconcentratie in n-regio+(Elektronendiffusiecoëfficiënt)/Diffusielengte van elektron*Elektronenconcentratie in p-regio)
Neem contact op met Potentieel verschil
​ Gaan Spanning over PN-verbinding = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)
Energiedichtheid gegeven Einstein-coëfficiënten
​ Gaan Energiedichtheid = (8*[hP]*Frequentie van straling^3)/[c]^3*(1/(exp((De constante van Planck*Frequentie van straling)/([BoltZ]*Temperatuur))-1))
Protonconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden
​ Gaan Protonconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders-Quasi Fermi-niveau van elektronen)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Totale stroomdichtheid
​ Gaan Totale stroomdichtheid = Verzadiging huidige dichtheid*(exp(([Charge-e]*Spanning over PN-verbinding)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)
Netto faseverschuiving
​ Gaan Netto faseverschuiving = pi/Golflengte van licht*(Brekingsindex)^3*Lengte van vezels*Voedingsspanning
Relatieve bevolking
​ Gaan Relatieve bevolking = exp(-([hP]*Relatieve frequentie)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Optisch vermogen uitgestraald
​ Gaan Optisch vermogen uitgestraald = Emissiviteit*[Stefan-BoltZ]*Gebied van de bron*Temperatuur^4
Modusnummer
​ Gaan Modusnummer = (2*Lengte van de holte*Brekingsindex)/Fotongolflengte
Golflengte van straling in vacuüm
​ Gaan Golflengte van golf = Tophoek*(180/pi)*2*Enkel gaatje
Lengte van de holte
​ Gaan Lengte van de holte = (Fotongolflengte*Modusnummer)/2
Golflengte van uitgangslicht
​ Gaan Golflengte van licht = Brekingsindex*Fotongolflengte

Verzadiging huidige dichtheid Formule

Verzadiging huidige dichtheid = [Charge-e]*((Diffusiecoëfficiënt van gat)/Verspreidingslengte van het gat*Gatenconcentratie in n-regio+(Elektronendiffusiecoëfficiënt)/Diffusielengte van elektron*Elektronenconcentratie in p-regio)
J0 = [Charge-e]*((Dh)/Lh*pn+(DE)/Le*np)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!