Gęstość prądu nasycenia Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Urządzenia fotoniczne

Lasery

Urządzenia z elementami optycznymi

✖Współczynnik dyfuzji dziury jest miarą łatwości ruchu dziury w sieci krystalicznej. Jest to związane z mobilnością nośnika, w tym przypadku dziury.ⓘ Współczynnik dyfuzji otworu [D_h]			+10% -10%
✖Długość dyfuzji otworu to charakterystyczna odległość, jaką pokonują dziury przed ponownym połączeniem w procesie dyfuzji.ⓘ Długość dyfuzji otworu [L_h]			+10% -10%
✖Koncentracja otworów w regionie n to liczba otworów na jednostkę objętości w obszarze domieszkowanym typu n złącza pn.ⓘ Koncentracja otworów w regionie n [p_n]			+10% -10%
✖Współczynnik dyfuzji elektronów jest miarą łatwości ruchu elektronów w sieci krystalicznej. Jest to związane z ruchliwością nośnika, w tym przypadku elektronu.ⓘ Współczynnik dyfuzji elektronów [D_E]			+10% -10%
✖Długość dyfuzji elektronu to charakterystyczna odległość, jaką pokonują elektrony przed ponownym połączeniem w procesie dyfuzji.ⓘ Długość dyfuzji elektronu [L_e]			+10% -10%
✖Stężenie elektronów w regionie p to liczba elektronów na jednostkę objętości w obszarze domieszkowanym typu p złącza pn.ⓘ Stężenie elektronów w regionie p [n_p]			+10% -10%

✖Gęstość prądu nasycenia to przepływ prądu na jednostkę powierzchni złącza pn, gdy do złącza zostanie przyłożone kilka woltów polaryzacji zaporowej.ⓘ Gęstość prądu nasycenia [J₀]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Gęstość prądu nasycenia

Formuła

`"J"_{"0"} = "[Charge-e]"*(("D"_{"h"})/"L"_{"h"}*"p"_{"n"}+("D"_{"E"})/"L"_{"e"}*"n"_{"p"})`

Przykład

`"1.6E^-7A/m²"="[Charge-e]"*(("1.2e-3m²/s")/"0.35mm"*"2.56e+11/m³"+("0.003387m²/s")/"0.71mm"*"2.55e+10/m³")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Urządzenia fotoniczne Formuły PDF PDF Image

Gęstość prądu nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Gęstość prądu nasycenia = [Charge-e]*((Współczynnik dyfuzji otworu)/Długość dyfuzji otworu*Koncentracja otworów w regionie n+(Współczynnik dyfuzji elektronów)/Długość dyfuzji elektronu*Stężenie elektronów w regionie p)
J₀ = [Charge-e]*((D_h)/L_h*p_n+(D_E)/L_e*n_p)
Ta formuła używa 1 Stałe, 7 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19

Używane zmienne

Gęstość prądu nasycenia - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu nasycenia to przepływ prądu na jednostkę powierzchni złącza pn, gdy do złącza zostanie przyłożone kilka woltów polaryzacji zaporowej.
Współczynnik dyfuzji otworu - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Współczynnik dyfuzji dziury jest miarą łatwości ruchu dziury w sieci krystalicznej. Jest to związane z mobilnością nośnika, w tym przypadku dziury.
Długość dyfuzji otworu - (Mierzone w Metr) - Długość dyfuzji otworu to charakterystyczna odległość, jaką pokonują dziury przed ponownym połączeniem w procesie dyfuzji.
Koncentracja otworów w regionie n - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja otworów w regionie n to liczba otworów na jednostkę objętości w obszarze domieszkowanym typu n złącza pn.
Współczynnik dyfuzji elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Współczynnik dyfuzji elektronów jest miarą łatwości ruchu elektronów w sieci krystalicznej. Jest to związane z ruchliwością nośnika, w tym przypadku elektronu.
Długość dyfuzji elektronu - (Mierzone w Metr) - Długość dyfuzji elektronu to charakterystyczna odległość, jaką pokonują elektrony przed ponownym połączeniem w procesie dyfuzji.
Stężenie elektronów w regionie p - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w regionie p to liczba elektronów na jednostkę objętości w obszarze domieszkowanym typu p złącza pn.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Współczynnik dyfuzji otworu: 0.0012 Metr kwadratowy na sekundę --> 0.0012 Metr kwadratowy na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Długość dyfuzji otworu: 0.35 Milimetr --> 0.00035 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Koncentracja otworów w regionie n: 256000000000 1 na metr sześcienny --> 256000000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Współczynnik dyfuzji elektronów: 0.003387 Metr kwadratowy na sekundę --> 0.003387 Metr kwadratowy na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Długość dyfuzji elektronu: 0.71 Milimetr --> 0.00071 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie elektronów w regionie p: 25500000000 1 na metr sześcienny --> 25500000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

J₀ = [Charge-e]*((D_h)/L_h*p_n+(D_E)/L_e*n_p) --> [Charge-e]*((0.0012)/0.00035*256000000000+(0.003387)/0.00071*25500000000)

Ocenianie ... ...

J₀ = 1.60115132367406E-07

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.60115132367406E-07 Amper na metr kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.60115132367406E-07 ≈ 1.6E-7 Amper na metr kwadratowy <-- Gęstość prądu nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia optoelektroniczne » Urządzenia fotoniczne » Gęstość prądu nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Priyanka G Chalikar

Narodowy Instytut Inżynierii (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 13 Urządzenia fotoniczne Kalkulatory

Widmowa emisja promieniowania

Iść Widmowa emisja promieniowania = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Długość fali światła widzialnego^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Długość fali światła widzialnego*[BoltZ]*Temperatura absolutna))-1)

Gęstość prądu nasycenia

Iść Gęstość prądu nasycenia = [Charge-e]*((Współczynnik dyfuzji otworu)/Długość dyfuzji otworu*Koncentracja otworów w regionie n+(Współczynnik dyfuzji elektronów)/Długość dyfuzji elektronu*Stężenie elektronów w regionie p)

Gęstość energii przy danych współczynnikach Einsteina

Iść Gęstość energii = (8*[hP]*Częstotliwość promieniowania^3)/[c]^3*(1/(exp((Stała Plancka*Częstotliwość promieniowania)/([BoltZ]*Temperatura))-1))

Kontakt Różnica potencjałów

Iść Napięcie na złączu PN = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln((Stężenie akceptora*Stężenie dawcy)/(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)

Stężenie protonów w warunkach niezrównoważonych

Iść Stężenie protonów = Wewnętrzne stężenie elektronów*exp((Wewnętrzny poziom energii półprzewodnika-Poziom quasi-fermiego elektronów)/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Całkowita gęstość prądu

Iść Całkowita gęstość prądu = Gęstość prądu nasycenia*(exp(([Charge-e]*Napięcie na złączu PN)/([BoltZ]*Temperatura absolutna))-1)

Netto przesunięcie fazowe

Iść Netto przesunięcie fazowe = pi/Długość fali światła*(Współczynnik załamania światła)^3*Długość włókna*Napięcie zasilania

Względna populacja

Iść Względna populacja = exp(-([hP]*Częstotliwość względna)/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Wypromieniowana moc optyczna

Iść Wypromieniowana moc optyczna = Emisyjność*[Stefan-BoltZ]*Obszar Źródła*Temperatura^4

Numer trybu

Iść Numer trybu = (2*Długość wnęki*Współczynnik załamania światła)/Długość fali fotonu

Długość fali promieniowania w próżni

Iść Długość fali = Kąt wierzchołkowy*(180/pi)*2*Pojedyncza dziurka

Długość fali światła wyjściowego

Iść Długość fali światła = Współczynnik załamania światła*Długość fali fotonu

Długość wnęki

Iść Długość wnęki = (Długość fali fotonu*Numer trybu)/2

Gęstość prądu nasycenia Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!