Transconductantie door kortsluiting Rekenmachine

✖De uitgangsstroom van de versterker wordt gedefinieerd als de maximale stroom die aan de belasting kan worden geleverd.ⓘ Uitgangsstroom [I_o]			+10% -10%
✖Ingangsspanning is de spanning die aan het apparaat wordt geleverd.ⓘ Ingangsspanning [V_in]			+10% -10%

✖Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.ⓘ Transconductantie door kortsluiting [G_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie door kortsluiting

Formule

`"G"_{"m"} = "I"_{"o"}/"V"_{"in"}`

Voorbeeld

`"1.72mS"="4.3mA"/"2.50V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Transconductantie door kortsluiting Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning
G_m = I_o/V_in
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Uitgangsstroom - (Gemeten in Ampère) - De uitgangsstroom van de versterker wordt gedefinieerd als de maximale stroom die aan de belasting kan worden geleverd.
Ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsspanning is de spanning die aan het apparaat wordt geleverd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Uitgangsstroom: 4.3 milliampère --> 0.0043 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Ingangsspanning: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

G_m = I_o/V_in --> 0.0043/2.5

Evalueren ... ...

G_m = 0.00172

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00172 Siemens -->1.72 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.72 Millisiemens <-- Transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Transconductantie » Transconductantie door kortsluiting

Credits

Gemaakt door Devyaani Garg

Shiv Nadar Universiteit (SNU), Greater Noida

Devyaani Garg heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 4 Transconductantie Rekenmachines

Transconductantie van het lichaam

Gaan Transconductantie van het lichaam = Back-gate Transconductantieparameter*Transconductantie

Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking

Gaan Transconductantie = Afvoerstroom/Poort naar bronspanning

Transconductantie met behulp van Collector Current

Gaan Transconductantie = Collector Stroom/Drempelspanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

< 20 BJT-circuit Rekenmachines

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Totaal gedissipeerd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Collector-emitterspanning*Collector Stroom+Basis-emitterspanning*Basisstroom

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Referentiestroom van BJT-spiegel

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Common-Base stroomversterking

Gaan Common-Base stroomversterking = Stroomversterking gemeenschappelijke emitter/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Common Mode Rejection Ratio

Gaan Common Mode-afwijzingsratio = 20*log10(Differentiële modusversterking/Common Mode-versterking)

Uitgangsweerstand van BJT

Gaan Weerstand = (Voedingsspanning+Collector-emitterspanning)/Collector Stroom

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Uitgangsspanning van BJT-versterker

Gaan Uitgangsspanning = Voedingsspanning-Afvoerstroom*Weerstand laden

Totaal geleverd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Voedingsspanning*(Collector Stroom+Invoerstroom)

Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom

Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Collector-emitterspanning bij verzadiging

Gaan Collector-emitterspanning = Basis-emitterspanning-Basiscollectorspanning

Collectorstroom met behulp van emitterstroom

Gaan Collector Stroom = Common-Base stroomversterking*Zender Stroom

Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain

Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom

Intrinsieke winst van BJT

Gaan Intrinsieke winst = Vroege spanning/Thermische spanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

Collectorstroom van BJT

Gaan Collector Stroom = Zender Stroom-Basisstroom

Zenderstroom van BJT

Gaan Zender Stroom = Collector Stroom+Basisstroom

Transconductantie door kortsluiting Formule

Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning
G_m = I_o/V_in

Wat zijn de voorwaarden bij het berekenen van de transconductantie bij kortsluiting?

Het wordt berekend door rekening te houden met de voorwaarde dat de momentane uitgangsspanning nul is. Ook Ro en Ri zijn oneindig.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!