Kurzschluss-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Gm = Io/Vin
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Ausgangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausgangsstrom des Verstärkers ist definiert als der maximale Strom, der der Last zugeführt werden kann.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Eingangsspannung ist die Spannung, mit der das Gerät versorgt wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Ausgangsstrom: 4.3 Milliampere --> 0.0043 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Eingangsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Gm = Io/Vin --> 0.0043/2.5
Auswerten ... ...
Gm = 0.00172
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00172 Siemens -->1.72 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.72 Millisiemens <-- Steilheit
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Devyaani Garg
Shiv Nadar Universität (SNU), Großraum Noida
Devyaani Garg hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

4 Steilheit Taschenrechner

Körpertranskonduktanz
​ Gehen Körpertranskonduktanz = Back-Gate-Transkonduktanzparameter*Steilheit
Transkonduktanz von BJT bei Eigenverstärkung
​ Gehen Steilheit = Stromverbrauch/Gate-Source-Spannung
Kurzschluss-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Transkonduktanz mit Kollektorstrom
​ Gehen Steilheit = Kollektorstrom/Grenzspannung

20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Übergangsfrequenz von BJT
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
Gesamtverlustleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom
Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)
Unity-Gain-Bandbreite von BJT
​ Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
Referenzstrom des BJT-Spiegels
​ Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Ausgangswiderstand von BJT
​ Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom
Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers
​ Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
​ Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Basisstromverstärkung
​ Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Gelieferte Gesamtleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom
​ Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom
​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain
​ Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom
Kollektorstrom mit Emitterstrom
​ Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Eigener Gewinn von BJT
​ Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung
Kurzschluss-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Kollektorstrom von BJT
​ Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom
Emitterstrom von BJT
​ Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Kurzschluss-Transkonduktanz Formel

Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Gm = Io/Vin

Welche Bedingungen werden bei der Berechnung der Kurzschluss-Transkonduktanz angenommen?

Es wird unter Berücksichtigung der Bedingung berechnet, dass die momentane Ausgangsspannung Null ist. Auch Ro und Ri sind unendlich.

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