Oppervlakte Potentieel Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.ⓘ Bron Lichaamspotentieelverschil [V_sb]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.ⓘ Intrinsieke concentratie [N_i]			+10% -10%

✖Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.ⓘ Oppervlakte Potentieel [Φ_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Oppervlakte Potentieel

Formule

`"Φ"_{"s"} = 2*"V"_{"sb"}*ln("N"_{"A"}/"N"_{"i"})`

Voorbeeld

`"36.56754V"=2*"1.36V"*ln("1e+16/cm³"/"1.45e+10/cm³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf

Oppervlakte Potentieel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Oppervlaktepotentieel - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
Bron Lichaamspotentieelverschil - (Gemeten in Volt) - Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Bron Lichaamspotentieelverschil: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 14500000000 1 per kubieke centimeter --> 1.45E+16 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Evalueren ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

36.5675358441665 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

36.5675358441665 ≈ 36.56754 Volt <-- Oppervlaktepotentieel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Oppervlakte Potentieel

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Oppervlakte Potentieel Formule

Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Waarom berekenen we oppervlaktepotentiaal?

Oppervlaktepotentiaal wordt berekend om het spanningsniveau op het halfgeleideroppervlak te bepalen. Het helpt bij het beoordelen van de apparaatprestaties, de drempelspanning en het stroomverbruik in CMOS-transistoren, wat helpt bij het ontwerpen en optimaliseren van circuits.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!