Kritieke spanning Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.ⓘ Kritisch elektrisch veld [E_x]			+10% -10%
✖Elektrisch veld over kanaallengte is het geproduceerde elektrische veld in het kanaal tijdens het proces.ⓘ Elektrisch veld over de kanaallengte [E_ch]			+10% -10%

✖Kritieke spanning is de minimale fase van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.ⓘ Kritieke spanning [V_x]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Kritieke spanning

Formule

`"V"_{"x"} = "E"_{"x"}*"E"_{"ch"}`

Voorbeeld

`"28V"="0.004V/mm"*"7e-3V/mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Kritieke spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte
V_x = E_x*E_ch
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kritische spanning - (Gemeten in Volt) - Kritieke spanning is de minimale fase van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.
Kritisch elektrisch veld - (Gemeten in Volt per meter) - Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.
Elektrisch veld over de kanaallengte - (Gemeten in Volt per meter) - Elektrisch veld over kanaallengte is het geproduceerde elektrische veld in het kanaal tijdens het proces.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kritisch elektrisch veld: 0.004 Volt per millimeter --> 4 Volt per meter (Bekijk de conversie hier)
Elektrisch veld over de kanaallengte: 0.007 Volt per millimeter --> 7 Volt per meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_x = E_x*E_ch --> 4*7

Evalueren ... ...

V_x = 28

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

28 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

28 Volt <-- Kritische spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Kritieke spanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Kritieke spanning Formule

Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte
V_x = E_x*E_ch

Wat is mobiliteitsdegradatie?

Een hoge spanning aan de gate van de transistor trekt de dragers naar de rand van het kanaal, waardoor botsingen met de oxide-interface ontstaan die de dragers vertragen. Dit wordt mobiliteitsdegradatie genoemd.

Wat is snelheidsverzadiging?

Dragers benaderen een maximale snelheid vsat wanneer hoge velden worden toegepast. Dit fenomeen wordt snelheidsverzadiging genoemd.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!