Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning
Vt0 = η*Vds+Vt
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Drempelspanning DIBL - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning dibl wordt gedefinieerd als de minimale spanning die vereist is door de bronovergang van het lichaamspotentiaal, wanneer de bron zich op het lichaamspotentiaal bevindt.
DIBL-coëfficiënt - De DIBL-coëfficiënt in een cmos-apparaat wordt doorgaans weergegeven in de orde van 0,1.
Afvoer naar bronpotentieel - (Gemeten in Volt) - Afvoer naar bron Potentieel is het potentieel tussen afvoer en bron.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
DIBL-coëfficiënt: 0.2 --> Geen conversie vereist
Afvoer naar bronpotentieel: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vt0 = η*Vds+Vt --> 0.2*1.45+0.3
Evalueren ... ...
Vt0 = 0.59
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.59 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.59 Volt <-- Drempelspanning DIBL
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))
Lichaamseffectcoëfficiënt
Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)
PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI
Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))
Totale bronparasitaire capaciteit
Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)
Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI
Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning
Junction Current
Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)
Oppervlakte Potentieel
Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt
Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning
DIBL-coëfficiënt
Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Subdrempel Helling
Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)
Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit
Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)
Gate-oxidecapaciteit
Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
Poortcapaciteit
Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Drempelspanning
Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)
Kanaallading
Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor
Kritieke spanning
Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte
Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI
Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor
Intrinsieke poortcapaciteit
Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI
Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor
Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI
Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor
Mobiliteit in Mosfet
Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
Kanaallengte na volledige schaling VLSI
Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor
K-Prime
Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt Formule

Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning
Vt0 = η*Vds+Vt

Wat is drain-geïnduceerde barrièreverlaging (DIBL)?

De afvoerspanning Vds creëert een elektrisch veld dat de drempelspanning beïnvloedt. Dit drain-geïnduceerde barrière-verlagende (DIBL) effect is vooral uitgesproken in korte-kanaaltransistoren. Door drain-geïnduceerde barrièreverlaging zorgt ervoor dat Ids toenemen met Vds in verzadiging, op vrijwel dezelfde manier als kanaallengtemodulatie. Nogmaals, dit is een vloek voor analoog ontwerp, maar onbeduidend voor de meeste digitale circuits. Belangrijker is dat DIBL de lekkage onder de drempel verhoogt bij hoge Vds.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!