Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Rekenmachine

✖Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.ⓘ Collectorstroom [i_c]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.ⓘ Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker [g_mp]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Formule

`"g"_{"mp"} = "i"_{"c"}/"V"_{"t"}`

Voorbeeld

`"19.76mS"="39.52mA"/"2V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf PDF Image

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
g_mp = i_c/V_t
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

MOSFET primaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Collectorstroom: 39.52 milliampère --> 0.03952 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Evalueren ... ...

g_mp = 0.01976

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.76 Millisiemens <-- MOSFET primaire transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

< 18 CV-acties van gemeenschappelijke podiumversterkers Rekenmachines

Uitgangsspanning van gecontroleerde brontransistor

Gaan DC-component van poort-naar-bronspanning = (Spanningsversterking*Elektrische stroom-Transconductie van kortsluiting*Differentieel uitgangssignaal)*(1/Laatste weerstand+1/Weerstand van primaire wikkeling in secundaire)

Ingangsweerstand van Common-Base Circuit

Gaan Ingangsweerstand = (Zenderweerstand*(Eindige uitgangsweerstand+Belastingsweerstand))/(Eindige uitgangsweerstand+(Belastingsweerstand/(Collectorbasisstroomversterking+1)))

Uitgangsweerstand bij een andere afvoer van gecontroleerde brontransistor

Gaan Afvoerweerstand = Weerstand van secundaire wikkeling in primaire+2*Eindige weerstand+2*Eindige weerstand*MOSFET primaire transconductantie*Weerstand van secundaire wikkeling in primaire

Uitgangsweerstand van emitter-gedegenereerde CE-versterker:

Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)

Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker gegeven ingangsweerstand met klein signaal

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/(Kleine signaalingangsweerstand+(Collectorbasisstroomversterking+1)*Zenderweerstand))^-1

Ingangsweerstand van Common-Emitter-versterker gegeven emitterweerstand

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/((Totale weerstand+Zenderweerstand)*(Collectorbasisstroomversterking+1)))^-1

Uitgangsweerstand van CS-versterker met bronweerstand

Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+Bron weerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand*Bron weerstand)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Transconductantie in gemeenschappelijke bronversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Eenheidsversterkingsfrequentie*(Poort naar broncapaciteit+Capaciteit Poort naar afvoer)

Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1

Ingangsimpedantie van Common-Base-versterker

Gaan Ingangsimpedantie = (1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)^(-1)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Fundamentele spanning in gemeenschappelijke emitterversterker

Gaan Fundamentele componentspanning = Ingangsweerstand*Basisstroom

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Belastingsspanning van CS-versterker

Gaan Laad spanning = Spanningsversterking*Ingangsspanning

Weerstand van zender in common-base-versterker

Gaan Zenderweerstand = Ingangsspanning/Zenderstroom

Emitterstroom van Common-Base-versterker

Gaan Zenderstroom = Ingangsspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Formule

MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
g_mp = i_c/V_t

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!