Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging Rekenmachine

✖De procestransconductantieparameter is het product van de mobiliteit van elektronen in kanaal- en oxidecapaciteit.ⓘ Procestransconductantieparameter [k'_n]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte is de afmeting van het MOSFET-kanaal.ⓘ Breedte van kanaal [W_c]			+10% -10%
✖De lengte van het kanaal, L, wat de afstand is tussen de twee -p-overgangen.ⓘ Lengte van het kanaal [L]			+10% -10%
✖Effectieve spanning of overdrive-spanning is een overmaat aan spanning over oxide ten opzichte van thermische spanning.ⓘ Effectieve spanning [V_ov]			+10% -10%

✖Verzadigingsafvoerstroom wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.ⓘ Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging [i_ds]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Formule

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Voorbeeld

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De procestransconductantieparameter is het product van de mobiliteit van elektronen in kanaal- en oxidecapaciteit.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte is de afmeting van het MOSFET-kanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal, L, wat de afstand is tussen de twee -p-overgangen.
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - Effectieve spanning of overdrive-spanning is een overmaat aan spanning over oxide ten opzichte van thermische spanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter: 0.2 Ampère per vierkante volt --> 0.2 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Breedte van kanaal: 10.15 Micrometer --> 1.015E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3.25 Micrometer --> 3.25E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Effectieve spanning: 0.123 Volt --> 0.123 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Evalueren ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00472490307692308 Ampère -->4.72490307692308 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.72490307692308 ≈ 4.724903 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging Formule

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Hoeveel stroom kan een MOSFET aan?

MOSFET's met hoge stroomsterkte, zoals de 511-STP200N3LL, zeggen dat ze 120 Ampère stroom aankunnen. De Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, of kortweg MOSFET, heeft een extreem hoge ingangspoortweerstand waarbij de stroom die door het kanaal tussen de source en drain vloeit, wordt bestuurd door de poortspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!