Drempelspanning van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Vth = Vgs-Veff
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist
Effectieve spanning: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Evalueren ... ...
Vth = 2.3
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
2.3 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.3 Volt <-- Drempelspanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

20 Spanning Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning
​ Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
Gemeenschappelijke poortuitgangsspanning
​ Gaan Uitgangsspanning = -(Transconductantie*Kritische spanning)*((Belastingsweerstand*Poort weerstand)/(Poort weerstand+Belastingsweerstand))
Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal
​ Gaan Afvoerspanning Q1 = -Uitgangsweerstand*(Transconductantie*Common Mode-ingangssignaal)/(1+(2*Transconductantie*Uitgangsweerstand))
Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning
​ Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))
Broningangsspanning
​ Gaan Broningangsspanning = Ingangsspanning*(Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))
Ingangspoort-naar-bronspanning
​ Gaan Kritische spanning = (Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))*Ingangsspanning
Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal
​ Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand/((1/Transconductantie)+2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Overdrive-spanning wanneer MOSFET fungeert als versterker met belastingsweerstand
​ Gaan Transconductantie = Totale stroom/(Common Mode-ingangssignaal-(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand))
Incrementeel spanningssignaal van differentiële versterker
​ Gaan Common Mode-ingangssignaal = (Totale stroom/Transconductantie)+(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand)
Spanning over poort en bron van MOSFET gegeven ingangsstroom
​ Gaan Gate-bronspanning = Invoerstroom/(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Positieve spanning gegeven apparaatparameter in MOSFET
​ Gaan Invoerstroom = Gate-bronspanning*(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Spanning bij afvoer Q1 van MOSFET
​ Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Spanning bij afvoer Q2 in MOSFET
​ Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal
Verzadigingsspanning van MOSFET
​ Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
Spanning over poort naar bron van MOSFET op differentiële ingangsspanning gegeven overdrive-spanning
​ Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+1.4*Effectieve spanning
Drempelspanning wanneer MOSFET fungeert als versterker
​ Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Drempelspanning van MOSFET
​ Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Overstuurspanning
​ Gaan Overdrive-spanning = (2*Afvoerstroom)/Transconductantie
Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET
​ Gaan Afvoerspanning Q1 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)
Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET
​ Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning
​ Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)
Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET
​ Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)
Overgangsfrequentie van MOSFET
​ Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))
Maximale spanningsversterking op biaspunt
​ Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)
Spanningsversterking met klein signaal
​ Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)
Spanningsversterking gegeven afvoerspanning
​ Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning
Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET
​ Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)
Lichaamseffect op transconductantie
​ Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie
Maximale spanningsversterking bij alle spanningen
​ Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning
Verzadigingsspanning van MOSFET
​ Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
Voorspanning van MOSFET
​ Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning
Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal
​ Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand
Transconductantie in MOSFET
​ Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning
Drempelspanning van MOSFET
​ Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET
​ Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Drempelspanning van MOSFET Formule

Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning
Vth = Vgs-Veff

Wat is drempelspanning?

De waarde van de spanning over het oxide waarbij een voldoende aantal mobiele elektronen zich ophoopt in het kanaalgebied om een geleidend kanaal te vormen, wordt de drempelspanning genoemd en wordt aangeduid als V

Verklaar het hele proces van het kanaalgebied van de MOSFET dat een condensator met parallelle platen vormt.

De poort en het kanaalgebied van de MOSFET vormen een condensator met parallelle platen, waarbij de oxidelaag fungeert als het diëlektricum van de condensator. De positieve poortspanning zorgt ervoor dat een positieve lading zich ophoopt op de bovenplaat van de condensator (de poortelektrode). De overeenkomstige negatieve lading op de bodemplaat wordt gevormd door de elektronen in het geïnduceerde kanaal. Er ontstaat dus een elektrisch veld in verticale richting. Het is dit veld dat de hoeveelheid lading in het kanaal regelt, en dus bepaalt het de kanaalgeleiding en, op zijn beurt, de stroom die door het kanaal zal stromen wanneer een spanning wordt aangelegd.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!