Wartość napięcia na tlenku, przy której wystarczająca liczba ruchomych elektronów gromadzi się w obszarze kanału, aby utworzyć kanał przewodzący, nazywana jest napięciem progowym i jest oznaczana jako V
Bramka i obszar kanału tranzystora MOSFET tworzą kondensator o równoległej płytce, z warstwą tlenku działającą jako dielektryk kondensatora. Dodatnie napięcie bramki powoduje gromadzenie się ładunku dodatniego na górnej płycie kondensatora (elektrodzie bramki). Odpowiedni ładunek ujemny na płycie dolnej jest tworzony przez elektrony w indukowanym kanale. W ten sposób pole elektryczne rozwija się w kierunku pionowym. To właśnie to pole kontroluje ilość ładunku w kanale, a tym samym określa przewodność kanału, a co za tym idzie prąd, który przepłynie przez kanał po przyłożeniu napięcia.