Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa
Af = gm*Rout
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Współczynnik wzmocnienia - Współczynnik wzmocnienia jest miarą wzrostu mocy sygnału elektrycznego przechodzącego przez urządzenie. Definiuje się go jako stosunek amplitudy wyjściowej lub mocy do amplitudy wejściowej.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Af = gm*Rout --> 0.0005*4500
Ocenianie ... ...
Af = 2.25
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
2.25 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
2.25 <-- Współczynnik wzmocnienia
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

15 Analiza małych sygnałów Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia małego sygnału w odniesieniu do rezystancji wejściowej
​ Iść Wzmocnienie napięcia = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Samoindukowany opór))*((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa))/(1/Transkonduktancja+((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa)))
Napięcie od bramki do źródła w odniesieniu do rezystancji małego sygnału
​ Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe*((1/Transkonduktancja)/((1/Transkonduktancja)*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))))
Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału
​ Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Odporność na drenaż+Rezystancja wyjściowa))
Napięcie wyjściowe wspólnego drenu w małym sygnale
​ Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Napięcie krytyczne*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))
Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów
​ Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*(1/((1/Odporność na obciążenie)+(1/Odporność na drenaż))))/(1+(Transkonduktancja*Samoindukowany opór))
Wzmocnienie napięcia małosygnałowego w odniesieniu do rezystancji drenu
​ Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Rezystancja wyjściowa+Odporność na drenaż)))
Prąd wyjściowy małego sygnału
​ Iść Prąd wyjściowy = (Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*(Odporność na drenaż/(Odporność na obciążenie+Odporność na drenaż))
Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału
​ Iść Współczynnik wzmocnienia = 1/Średnia droga swobodna elektronu*sqrt((2*Parametr transkonduktancji procesu)/Prąd spustowy)
Prąd wejściowy małego sygnału
​ Iść Prąd wejściowy małego sygnału = (Napięcie krytyczne*((1+Transkonduktancja*Samoindukowany opór)/Samoindukowany opór))
Transkonduktancja przy danych parametrach małego sygnału
​ Iść Transkonduktancja = 2*Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie)
Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)
Napięcie wyjściowe małego sygnału
​ Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*Odporność na obciążenie
Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale
​ Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe/(1+Samoindukowany opór*Transkonduktancja)
Prąd spustowy małego sygnału MOSFET
​ Iść Prąd spustowy = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Rezystancja wyjściowa)
Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET
​ Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła
​ Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)
Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)
Częstotliwość przejścia MOSFET
​ Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji
​ Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)
Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)
Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu
​ Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie
Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET
​ Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
Wpływ ciała na transkonduktancję
​ Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja
Napięcie polaryzacji MOSFET-u
​ Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego
Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach
​ Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne
Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET
​ Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET
​ Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa
Transprzewodnictwo w MOSFET-ie
​ Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania
Napięcie progowe MOSFET-u
​ Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie
Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u
​ Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET Formułę

Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa
Af = gm*Rout

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!