Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Średnie rozproszenie mocy CMOS Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Projektowanie i zastosowania CMOS
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Falowniki CMOS
Charakterystyka czasu CMOS
Charakterystyka obwodu CMOS
Charakterystyka opóźnienia CMOS
Charakterystyka projektu CMOS
Podsystem ścieżki danych tablicowych
Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS
Wskaźniki mocy CMOS
✖
Pojemność obciążenia falownika CMOS definiuje się jako połączone pojemności w równoważną zbiorczą pojemność liniową.
ⓘ
Pojemność obciążenia [C
load
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Kulomb/Wolt
Dekafarad
Decyfarad
EMU od pojemności
ESU o pojemności
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
Napięcie zasilania CMOS definiuje się jako napięcie zasilania podawane na zacisk źródłowy PMOS.
ⓘ
Napięcie zasilania [V
DD
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Częstotliwość reprezentuje liczbę cykli lub oscylacji przebiegu fali występujących w ciągu jednej sekundy.
ⓘ
Częstotliwość [f]
Attohertz
Bity / minuta
Centihertz
Cykl/Sekunda
Decahertz
Decihertz
Exaherc
Femtoherc
Frames za Sekunda
Gigaherc
Hektoherc
Herc
Kiloherc
Megaherc
Mikroherc
Millihertz
Nanoherc
Petaherc
Picoherc
Rewolucja dziennie
Rewolucja na godzinę
Obrotów na minutę
Rewolucja na sekundę
Teraherc
Yottahertz
Zettahertz
+10%
-10%
✖
Średnie rozproszenie mocy w falowniku CMOS definiuje się jako moc wymaganą do ładowania i ładowania pojemności wyjściowej.
ⓘ
Średnie rozproszenie mocy CMOS [P
avg
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Średnie rozproszenie mocy CMOS
Formuła
`"P"_{"avg"} = "C"_{"load"}*("V"_{"DD"})^2*"f"`
Przykład
`"0.369334mV"="0.85fF"*("3.3V")^2*"39.9GHz"`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Projektowanie i zastosowania CMOS Formułę PDF
Średnie rozproszenie mocy CMOS Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Średnie rozproszenie mocy
=
Pojemność obciążenia
*(
Napięcie zasilania
)^2*
Częstotliwość
P
avg
=
C
load
*(
V
DD
)^2*
f
Ta formuła używa
4
Zmienne
Używane zmienne
Średnie rozproszenie mocy
-
(Mierzone w Wolt)
- Średnie rozproszenie mocy w falowniku CMOS definiuje się jako moc wymaganą do ładowania i ładowania pojemności wyjściowej.
Pojemność obciążenia
-
(Mierzone w Farad)
- Pojemność obciążenia falownika CMOS definiuje się jako połączone pojemności w równoważną zbiorczą pojemność liniową.
Napięcie zasilania
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie zasilania CMOS definiuje się jako napięcie zasilania podawane na zacisk źródłowy PMOS.
Częstotliwość
-
(Mierzone w Herc)
- Częstotliwość reprezentuje liczbę cykli lub oscylacji przebiegu fali występujących w ciągu jednej sekundy.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Pojemność obciążenia:
0.85 Femtofarad --> 8.5E-16 Farad
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Napięcie zasilania:
3.3 Wolt --> 3.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Częstotliwość:
39.9 Gigaherc --> 39900000000 Herc
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
P
avg
= C
load
*(V
DD
)^2*f -->
8.5E-16*(3.3)^2*39900000000
Ocenianie ... ...
P
avg
= 0.00036933435
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.00036933435 Wolt -->0.36933435 Miliwolt
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.36933435
≈
0.369334 Miliwolt
<--
Średnie rozproszenie mocy
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Projektowanie i zastosowania CMOS
»
Falowniki CMOS
»
Średnie rozproszenie mocy CMOS
Kredyty
Stworzone przez
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering
(LDCE)
,
Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh
(CU)
,
Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
<
17 Falowniki CMOS Kalkulatory
Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową
Iść
Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy
= (
Pojemność obciążenia
/(
Transkonduktancja PMOS
*(
Napięcie zasilania
-
abs
(
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała
))))*(((2*
abs
(
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała
))/(
Napięcie zasilania
-
abs
(
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała
)))+
ln
((4*(
Napięcie zasilania
-
abs
(
Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała
))/
Napięcie zasilania
)-1))
Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
Iść
Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego
=
Napięcie zasilania
-
Napięcie progowe zerowego odchylenia
+(1/(
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
))-
sqrt
((
Napięcie zasilania
-
Napięcie progowe zerowego odchylenia
+(1/(
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
)))^2-(2*
Napięcie zasilania
/(
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
)))
Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z wysokiego na niski poziom wyjściowy
Iść
Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy
= (
Pojemność obciążenia
/(
Transkonduktancja NMOS
*(
Napięcie zasilania
-
Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała
)))*((2*
Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała
/(
Napięcie zasilania
-
Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała
))+
ln
((4*(
Napięcie zasilania
-
Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała
)/
Napięcie zasilania
)-1))
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
Iść
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego
=
Napięcie progowe zerowego odchylenia
+
sqrt
((8*
Napięcie zasilania
)/(3*
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
))-(1/(
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
))
Maksymalne napięcie wejściowe CMOS
Iść
Maksymalne napięcie wejściowe CMOS
= (2*
Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia
+(
Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała
)-
Napięcie zasilania
+
Współczynnik transkonduktancji
*
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała
)/(1+
Współczynnik transkonduktancji
)
Napięcie progowe CMOS
Iść
Próg napięcia
= (
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała
+
sqrt
(1/
Współczynnik transkonduktancji
)*(
Napięcie zasilania
+(
Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała
)))/(1+
sqrt
(1/
Współczynnik transkonduktancji
))
Minimalne napięcie wejściowe CMOS
Iść
Minimalne napięcie wejściowe
= (
Napięcie zasilania
+(
Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała
)+
Współczynnik transkonduktancji
*(2*
Napięcie wyjściowe
+
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała
))/(1+
Współczynnik transkonduktancji
)
Pojemność obciążenia kaskadowego falownika CMOS
Iść
Pojemność obciążenia
=
Pojemność drenu bramki PMOS
+
Pojemność drenu bramki NMOS
+
Opróżnij pojemność zbiorczą PMOS
+
Opróżnij pojemność zbiorczą NMOS
+
Pojemność wewnętrzna
+
Pojemność bramki
Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
Iść
Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
=
Napięcie progowe zerowego odchylenia
+(1/(
Transkonduktancja NMOS
*
Odporność na obciążenie
))
Energia dostarczana przez zasilacz
Iść
Energia dostarczana przez zasilacz
=
int
(
Napięcie zasilania
*
Chwilowy prąd drenu
*x,x,0,
Interwał ładowania kondensatora
)
Średnie opóźnienie propagacji CMOS
Iść
Średnie opóźnienie propagacji
= (
Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy
+
Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy
)/2
Średnie rozproszenie mocy CMOS
Iść
Średnie rozproszenie mocy
=
Pojemność obciążenia
*(
Napięcie zasilania
)^2*
Częstotliwość
Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
Iść
Maksymalne napięcie wejściowe
= (3*
Napięcie zasilania
+2*
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała
)/8
Minimalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
Iść
Minimalne napięcie wejściowe
= (5*
Napięcie zasilania
-2*
Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała
)/8
Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale
Iść
Margines szumu dla wysokiego sygnału
=
Maksymalne napięcie wyjściowe
-
Minimalne napięcie wejściowe
Oscylator pierścieniowy z okresem oscylacji CMOS
Iść
Okres oscylacji
= 2*
Liczba stopni oscylatora pierścieniowego
*
Średnie opóźnienie propagacji
Współczynnik transkonduktancji CMOS
Iść
Współczynnik transkonduktancji
=
Transkonduktancja NMOS
/
Transkonduktancja PMOS
Średnie rozproszenie mocy CMOS Formułę
Średnie rozproszenie mocy
=
Pojemność obciążenia
*(
Napięcie zasilania
)^2*
Częstotliwość
P
avg
=
C
load
*(
V
DD
)^2*
f
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!