Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt)
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne
Używane stałe
e - Costante di Napier Wartość przyjęta jako 2.71828182845904523536028747135266249
Używane zmienne
Prąd bazowy - (Mierzone w Amper) - Prąd bazowy jest kluczowym prądem bipolarnego tranzystora złączowego. Bez prądu bazowego tranzystor nie może się włączyć.
Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Wzmocnienie prądu wspólnego emitera - Na wzmocnienie prądu wspólnego emitera mają wpływ 2 czynniki: szerokość obszaru podstawowego W oraz względne domieszkowanie obszaru podstawowego i obszaru emitera. Jego zakres waha się od 50-200.
Napięcie baza-emiter - (Mierzone w Wolt) - Napięcie baza-emiter to napięcie przewodzenia między bazą a emiterem tranzystora.
Napięcie termiczne - (Mierzone w Wolt) - Napięcie termiczne to napięcie wytwarzane w złączu pn.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prąd nasycenia: 1.675 Miliamper --> 0.001675 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Wzmocnienie prądu wspólnego emitera: 65 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie baza-emiter: 5.15 Wolt --> 5.15 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie termiczne: 4.7 Wolt --> 4.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt) --> (0.001675/65)*e^(5.15/4.7)
Ocenianie ... ...
IB = 7.70863217186262E-05
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
7.70863217186262E-05 Amper -->0.0770863217186262 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.0770863217186262 0.077086 Miliamper <-- Prąd bazowy
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

14 Prąd bazowy Kalkulatory

Prąd bazowy przy użyciu prądu nasycenia w DC
Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)+Ciśnienie pary nasyconej*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)
Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu
Iść Prąd nasycenia = (Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)/(Szerokość złącza podstawowego*Doping Stężenie zasady)
Wzmocnienie prądu zwarciowego BJT
Iść Wzmocnienie prądu zwarciowego = (Wzmocnienie prądu wspólnego emitera przy niskiej częstotliwości)/(1+Złożona zmienna częstotliwości*(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza)*Rezystancja wejściowa)
Prąd drenu podany parametr urządzenia
Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie-Próg napięcia)^2*(1+Parametr urządzenia*Napięcie między drenem a źródłem)
Prąd bazowy 2 BJT
Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*(e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne))
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia
Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)
Prąd odniesienia lustra BJT
Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora+(2*Prąd kolektora)/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera
Prąd odniesienia BJT Current Mirror
Iść Prąd odniesienia = (Napięcie zasilania-Napięcie baza-emiter)/Opór
Prąd odniesienia BJT Mirror przy danym prądzie kolektora
Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora*(1+2/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)
Prąd bazowy tranzystora PNP przy danym prądzie emitera
Iść Prąd bazowy = Prąd emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu kolektora
Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera
Prąd bazowy 1 BJT
Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu wzmocnienia prądu na wspólnej podstawie
Iść Prąd bazowy = (1-Wzmocnienie prądu wspólnej bazy)*Prąd emitera
Całkowity prąd bazowy
Iść Prąd bazowy = Prąd bazowy 1+Prąd bazowy 2

20 Obwód BJT Kalkulatory

Częstotliwość przejściowa BJT
Iść Częstotliwość przejściowa = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza))
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia
Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)
Współczynnik odrzucenia w trybie wspólnym
Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = 20*log10(Wzmocnienie trybu różnicowego/Wzmocnienie w trybie wspólnym)
Całkowita moc rozpraszana w BJT
Iść Moc = Napięcie kolektor-emiter*Prąd kolektora+Napięcie baza-emiter*Prąd bazowy
Unity-Gain Przepustowość BJT
Iść Jedność-Gain Przepustowość = Transkonduktancja/(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza)
Prąd odniesienia lustra BJT
Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora+(2*Prąd kolektora)/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera
Wzmocnienie prądu wspólnej bazy
Iść Wzmocnienie prądu wspólnej bazy = Wzmocnienie prądu wspólnego emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)
Napięcie wyjściowe wzmacniacza BJT
Iść Napięcie wyjściowe = Napięcie zasilania-Prąd spustowy*Odporność na obciążenie
Rezystancja wyjściowa BJT
Iść Opór = (Napięcie zasilania+Napięcie kolektor-emiter)/Prąd kolektora
Stężenie równowagi termicznej nośnika ładunku mniejszościowego
Iść Stężenie równowagi termicznej = ((Wewnętrzna gęstość nośnika)^2)/Doping Stężenie zasady
Całkowita moc dostarczona w BJT
Iść Moc = Napięcie zasilania*(Prąd kolektora+Prąd wejściowy)
Napięcie kolektor-emiter przy nasyceniu
Iść Napięcie kolektor-emiter = Napięcie baza-emiter-Napięcie baza-kolektor
Prąd bazowy tranzystora PNP przy danym prądzie emitera
Iść Prąd bazowy = Prąd emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu kolektora
Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera
Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu wzmocnienia prądu na wspólnej podstawie
Iść Prąd bazowy = (1-Wzmocnienie prądu wspólnej bazy)*Prąd emitera
Prąd kolektora przy użyciu prądu emitera
Iść Prąd kolektora = Wzmocnienie prądu wspólnej bazy*Prąd emitera
Transkonduktancja zwarciowa
Iść Transkonduktancja = Prąd wyjściowy/Napięcie wejściowe
Wewnętrzny zysk BJT
Iść Wewnętrzny zysk = Wczesne napięcie/Napięcie termiczne
Prąd kolektora BJT
Iść Prąd kolektora = Prąd emitera-Prąd bazowy
Prąd emitera BJT
Iść Prąd emitera = Prąd kolektora+Prąd bazowy

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia Formułę

Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt)

Jakie są składowe prądu podstawowego?

Prąd bazowy jest spowodowany dziurami wprowadzonymi z obszaru podstawy do obszaru emitera. Ten aktualny składnik jest proporcjonalny do e ^ V

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!