Prąd drenu podany parametr urządzenia Kalkulator

✖Transkonduktancja to stosunek zmiany prądu na zacisku wyjściowym do zmiany napięcia na zacisku wejściowym aktywnego urządzenia.ⓘ Transkonduktancja [G_m]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji to stosunek szerokości kanału do długości kanału.ⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Efektywne napięcie lub napięcie przesterowania to nadwyżka napięcia na tlenku nad napięciem termicznym.ⓘ Efektywne napięcie [V_ov]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%
✖parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z BJT.ⓘ Parametr urządzenia [V_A]			+10% -10%
✖Napięcie między drenem a źródłem przykłada się dodatnie napięcie między drenem a źródłem, indukując kanał.ⓘ Napięcie między drenem a źródłem [V_DS]			+10% -10%

✖Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.ⓘ Prąd drenu podany parametr urządzenia [I_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd drenu podany parametr urządzenia

Formuła

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Przykład

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać BJT Formułę PDF PDF Image

Prąd drenu podany parametr urządzenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie-Próg napięcia)^2*(1+Parametr urządzenia*Napięcie między drenem a źródłem)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Ta formuła używa 7 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest zdefiniowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja to stosunek zmiany prądu na zacisku wyjściowym do zmiany napięcia na zacisku wejściowym aktywnego urządzenia.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji to stosunek szerokości kanału do długości kanału.
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie lub napięcie przesterowania to nadwyżka napięcia na tlenku nad napięciem termicznym.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.
Parametr urządzenia - parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z BJT.
Napięcie między drenem a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między drenem a źródłem przykłada się dodatnie napięcie między drenem a źródłem, indukując kanał.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik proporcji: 8.75 --> Nie jest wymagana konwersja
Efektywne napięcie: 25 Wolt --> 25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 5.5 Wolt --> 5.5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Parametr urządzenia: 0.024 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między drenem a źródłem: 7.35 Wolt --> 7.35 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Ocenianie ... ...

I_d = 3.3661289025

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.3661289025 Amper -->3366.1289025 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3366.1289025 ≈ 3366.129 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » BJT » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd bazowy » Prąd drenu podany parametr urządzenia

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 14 Prąd bazowy Kalkulatory

Prąd bazowy przy użyciu prądu nasycenia w DC

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)+Ciśnienie pary nasyconej*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu

Iść Prąd nasycenia = (Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)/(Szerokość złącza podstawowego*Doping Stężenie zasady)

Wzmocnienie prądu zwarciowego BJT

Iść Wzmocnienie prądu zwarciowego = (Wzmocnienie prądu wspólnego emitera przy niskiej częstotliwości)/(1+Złożona zmienna częstotliwości*(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza)*Rezystancja wejściowa)

Prąd drenu podany parametr urządzenia

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie-Próg napięcia)^2*(1+Parametr urządzenia*Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd bazowy 2 BJT

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*(e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne))

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)

Prąd odniesienia lustra BJT

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora+(2*Prąd kolektora)/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd odniesienia BJT Current Mirror

Iść Prąd odniesienia = (Napięcie zasilania-Napięcie baza-emiter)/Opór

Prąd odniesienia BJT Mirror przy danym prądzie kolektora

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora*(1+2/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)

Prąd bazowy tranzystora PNP przy danym prądzie emitera

Iść Prąd bazowy = Prąd emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu kolektora

Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd bazowy 1 BJT

Iść Prąd bazowy = Prąd kolektora/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu wzmocnienia prądu na wspólnej podstawie

Iść Prąd bazowy = (1-Wzmocnienie prądu wspólnej bazy)*Prąd emitera

Całkowity prąd bazowy

Iść Prąd bazowy = Prąd bazowy 1+Prąd bazowy 2

Prąd drenu podany parametr urządzenia Formułę

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!