Pojemność komórki Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Wskaźniki mocy CMOS

✖Pojemność bitowa to pojemność jednego bitu w cmos vlsi.ⓘ Pojemność bitowa [C_bit]			+10% -10%
✖Swing napięcia na Bitline jest definiowany jako pełnoobrotowa lokalna architektura SRAM typu bitline, oparta na technologii FinFET 22 nm do pracy przy niskim napięciu.ⓘ Wahania napięcia na Bitline [ΔV]			+10% -10%
✖Napięcie dodatnie definiuje się jako napięcie obliczone, gdy obwód jest podłączony do źródła zasilania. Zwykle nazywa się to Vdd lub zasilaniem obwodu.ⓘ Napięcie dodatnie [V_dd]			+10% -10%

✖Pojemność ogniwa to pojemność pojedynczego ogniwa.ⓘ Pojemność komórki [C_cell]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pojemność komórki

Formuła

`"C"_{"cell"} = ("C"_{"bit"}*2*"ΔV")/("V"_{"dd"}-("ΔV"*2))`

Przykład

`"5.976552pF"=("12.38pF"*2*"0.42V")/("2.58V"-("0.42V"*2))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Podsystem ścieżki danych tablicowych Formuły PDF PDF Image

Pojemność komórki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność ogniwa = (Pojemność bitowa*2*Wahania napięcia na Bitline)/(Napięcie dodatnie-(Wahania napięcia na Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność ogniwa - (Mierzone w Farad) - Pojemność ogniwa to pojemność pojedynczego ogniwa.
Pojemność bitowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bitowa to pojemność jednego bitu w cmos vlsi.
Wahania napięcia na Bitline - (Mierzone w Wolt) - Swing napięcia na Bitline jest definiowany jako pełnoobrotowa lokalna architektura SRAM typu bitline, oparta na technologii FinFET 22 nm do pracy przy niskim napięciu.
Napięcie dodatnie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie dodatnie definiuje się jako napięcie obliczone, gdy obwód jest podłączony do źródła zasilania. Zwykle nazywa się to Vdd lub zasilaniem obwodu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność bitowa: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Wahania napięcia na Bitline: 0.42 Wolt --> 0.42 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie dodatnie: 2.58 Wolt --> 2.58 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Ocenianie ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 Picofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

5.97655172413793 ≈ 5.976552 Picofarad <-- Pojemność ogniwa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Podsystem ścieżki danych tablicowych » Pojemność komórki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 19 Podsystem ścieżki danych tablicowych Kalkulatory

Opóźnienie multipleksera

Iść Opóźnienie multipleksera = (Opóźnienie dodawania pomijania przeniesienia-(Opóźnienie propagacji+(2*(Wejście N ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR)-Opóźnienie XOR))/(Wejście K ORAZ bramka-1)

Opóźnienie sumatora Carry-Skip

Iść Opóźnienie dodawania pomijania przeniesienia = Opóźnienie propagacji+2*(Wejście N ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+(Wejście K ORAZ bramka-1)*Opóźnienie multipleksera+Opóźnienie XOR

Opóźnienie dodatku Carry-Looker

Iść Opóźnienie dodatku Carry-Looker = Opóźnienie propagacji+Opóźnienie propagacji grupy+((Wejście N ORAZ bramka-1)+(Wejście K ORAZ bramka-1))*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR

Opóźnienie sumatora Carry-Increamentor

Iść Opóźnienie dodawania przyrostu przeniesienia = Opóźnienie propagacji+Opóźnienie propagacji grupy+(Wejście K ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR

Krytyczne opóźnienie w bramkach

Iść Krytyczne opóźnienie w bramkach = Opóźnienie propagacji+(Wejście N ORAZ bramka+(Wejście K ORAZ bramka-2))*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie multipleksera

Opóźnienie propagacji grupy

Iść Opóźnienie propagacji = Opóźnienie dodawania drzewa-(log2(Częstotliwość bezwzględna)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR)

Tree Adder Delay

Iść Opóźnienie dodawania drzewa = Opóźnienie propagacji+log2(Częstotliwość bezwzględna)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR

Pojemność komórki

Iść Pojemność ogniwa = (Pojemność bitowa*2*Wahania napięcia na Bitline)/(Napięcie dodatnie-(Wahania napięcia na Bitline*2))

Opóźnienie „XOR”.

Iść Opóźnienie XOR = Czas tętnienia-(Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR)

Opóźnienie ścieżki krytycznej Carry-Ripple Adder

Iść Czas tętnienia = Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR

Pojemność bitowa

Iść Pojemność bitowa = ((Napięcie dodatnie*Pojemność ogniwa)/(2*Wahania napięcia na Bitline))-Pojemność ogniwa

Zmiana napięcia na Bitline

Iść Wahania napięcia na Bitline = (Napięcie dodatnie/2)*Pojemność ogniwa/(Pojemność ogniwa+Pojemność bitowa)

Pojemność uziemienia

Iść Pojemność uziemienia = ((Napięcie agresora*Sąsiadująca pojemność)/Napięcie ofiary)-Sąsiadująca pojemność

Obszar pamięci zawierający N bitów

Iść Obszar komórki pamięci = (Obszar jednobitowej komórki pamięci*Częstotliwość bezwzględna)/Wydajność macierzy

Obszar komórki pamięci

Iść Obszar jednobitowej komórki pamięci = (Wydajność macierzy*Obszar komórki pamięci)/Częstotliwość bezwzględna

Wydajność macierzy

Iść Wydajność macierzy = (Obszar jednobitowej komórki pamięci*Częstotliwość bezwzględna)/Obszar komórki pamięci

Dodatek N-Bit Carry-Skip

Iść N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie = Wejście N ORAZ bramka*Wejście K ORAZ bramka

Bramka „I” z wejściem N

Iść Wejście N ORAZ bramka = N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie/Wejście K ORAZ bramka

Bramka „I” wejścia K

Iść Wejście K ORAZ bramka = N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie/Wejście N ORAZ bramka

Pojemność komórki Formułę

Pojemność ogniwa = (Pojemność bitowa*2*Wahania napięcia na Bitline)/(Napięcie dodatnie-(Wahania napięcia na Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

Jak różne pojemności różnią się w dynamicznej pamięci RAM lub DRAM?

Ccell kondensatora DRAM musi być jak najmniej fizycznie, aby osiągnąć dobrą gęstość. Jednak linia bitowa jest kontaktowana z wieloma komórkami DRAM i ma stosunkowo dużą pojemność Cbit. Dlatego pojemność komórki jest zwykle znacznie mniejsza niż pojemność bitline. duża pojemność ogniwa jest ważna, aby zapewnić rozsądne wahania napięcia. Niezbędne jest również zachowanie zawartości celi przez akceptowalnie długi czas i zminimalizowanie błędów miękkich.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!