Capacità della cella calcolatrice

✖La capacità del bit è la capacità di un bit in cmos vlsi.ⓘ Capacità di bit [C_bit]			+10% -10%
✖L'oscillazione di tensione su bitline è definita come architettura SRAM bitline locale a oscillazione completa, basata sulla tecnologia FinFET da 22 nm per il funzionamento a bassa tensione.ⓘ Oscillazione di tensione su Bitline [ΔV]			+10% -10%
✖La tensione positiva è definita come la tensione calcolata quando il circuito è collegato all'alimentazione. Di solito viene chiamata Vdd o alimentazione del circuito.ⓘ Tensione positiva [V_dd]			+10% -10%

✖La capacità della cella è la capacità della singola cella.ⓘ Capacità della cella [C_cell]

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Capacità della cella Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità cellulare - (Misurato in Farad) - La capacità della cella è la capacità della singola cella.
Capacità di bit - (Misurato in Farad) - La capacità del bit è la capacità di un bit in cmos vlsi.
Oscillazione di tensione su Bitline - (Misurato in Volt) - L'oscillazione di tensione su bitline è definita come architettura SRAM bitline locale a oscillazione completa, basata sulla tecnologia FinFET da 22 nm per il funzionamento a bassa tensione.
Tensione positiva - (Misurato in Volt) - La tensione positiva è definita come la tensione calcolata quando il circuito è collegato all'alimentazione. Di solito viene chiamata Vdd o alimentazione del circuito.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di bit: 12.38 picofarad --> 1.238E-11 Farad (Controlla la conversione qui)
Oscillazione di tensione su Bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Valutare ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 picofarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

5.97655172413793 ≈ 5.976552 picofarad <-- Capacità cellulare

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Sottosistema del percorso dati dell'array Calcolatrici

Ritardo 'XOR'

LaTeX Partire Ritardo XOR = Tempo di ondulazione-(Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR)

Carry-Ripple Adder Ritardo del percorso critico

LaTeX Partire Tempo di ondulazione = Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR

Capacità di terra

LaTeX Partire Capacità di terra = ((Tensione dell'aggressore*Capacità adiacente)/Tensione della vittima)-Capacità adiacente

Addizionatore N-Bit Carry-Skip

LaTeX Partire Sommatore di salto riporto a N bit = N-Ingresso AND Porta*Ingresso K AND Porta

Vedi altro >>

Capacità della cella Formula

LaTeX Partire

Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

In che modo le varie capacità variano nella RAM o DRAM dinamica?

Il condensatore DRAM Ccell deve essere il più piccolo possibile fisicamente per ottenere una buona densità. Tuttavia, la linea di bit viene contattata a molte celle DRAM e ha una capacità Cbit relativamente grande. Pertanto, la capacità della cella è in genere molto più piccola della capacità della linea di bit. una grande capacità della cella è importante per fornire una ragionevole oscillazione di tensione. È inoltre necessario conservare il contenuto della cella per un tempo accettabilmente lungo e ridurre al minimo gli errori soft.

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