Capacità della cella Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))
Ccell = (Cbit*2*ΔV)/(Vdd-(ΔV*2))
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Capacità cellulare - (Misurato in Farad) - La capacità della cella è la capacità della singola cella.
Capacità di bit - (Misurato in Farad) - La capacità del bit è la capacità di un bit in cmos vlsi.
Oscillazione di tensione su Bitline - (Misurato in Volt) - L'oscillazione di tensione su bitline è definita come architettura SRAM bitline locale a oscillazione completa, basata sulla tecnologia FinFET da 22 nm per il funzionamento a bassa tensione.
Tensione positiva - (Misurato in Volt) - La tensione positiva è definita come la tensione calcolata quando il circuito è collegato all'alimentazione. Di solito viene chiamata Vdd o alimentazione del circuito.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità di bit: 12.38 picofarad --> 1.238E-11 Farad (Controlla la conversione qui)
Oscillazione di tensione su Bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ccell = (Cbit*2*ΔV)/(Vdd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))
Valutare ... ...
Ccell = 5.97655172413793E-12
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 picofarad (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
5.97655172413793 5.976552 picofarad <-- Capacità cellulare
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

19 Sottosistema del percorso dati dell'array Calcolatrici

Ritardo sommatore Carry-Looker
Partire Ritardo sommatore Carry-Looker = Ritardo di propagazione+Ritardo di propagazione del gruppo+((N-Ingresso AND Porta-1)+(Ingresso K AND Porta-1))*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR
Ritardo multiplexer
Partire Ritardo del multiplexer = (Ritardo sommatore carry-skip-(Ritardo di propagazione+(2*(N-Ingresso AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR)-Ritardo XOR))/(Ingresso K AND Porta-1)
Carry-Skip Adder Delay
Partire Ritardo sommatore carry-skip = Ritardo di propagazione+2*(N-Ingresso AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR+(Ingresso K AND Porta-1)*Ritardo del multiplexer+Ritardo XOR
Carry-Increamentor Adder Delay
Partire Ritardo sommatore carry-incrementatore = Ritardo di propagazione+Ritardo di propagazione del gruppo+(Ingresso K AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR
Ritardo critico nei cancelli
Partire Ritardo critico nei cancelli = Ritardo di propagazione+(N-Ingresso AND Porta+(Ingresso K AND Porta-2))*Ritardo gate AND-OR+Ritardo del multiplexer
Ritardo di propagazione del gruppo
Partire Ritardo di propagazione = Ritardo della vipera dell'albero-(log2(Frequenza assoluta)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR)
Ritardo sommatore albero
Partire Ritardo della vipera dell'albero = Ritardo di propagazione+log2(Frequenza assoluta)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR
Capacità della cella
Partire Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))
Capacità bit
Partire Capacità di bit = ((Tensione positiva*Capacità cellulare)/(2*Oscillazione di tensione su Bitline))-Capacità cellulare
Ritardo 'XOR'
Partire Ritardo XOR = Tempo di ondulazione-(Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR)
Oscillazione di tensione sulla bitline
Partire Oscillazione di tensione su Bitline = (Tensione positiva/2)*Capacità cellulare/(Capacità cellulare+Capacità di bit)
Carry-Ripple Adder Ritardo del percorso critico
Partire Tempo di ondulazione = Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR
Capacità di terra
Partire Capacità di terra = ((Tensione dell'aggressore*Capacità adiacente)/Tensione della vittima)-Capacità adiacente
Area di memoria contenente N bit
Partire Area della cella di memoria = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Efficienza dell'array
Area della cella di memoria
Partire Area di una cella di memoria da un bit = (Efficienza dell'array*Area della cella di memoria)/Frequenza assoluta
Efficienza dell'array
Partire Efficienza dell'array = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Area della cella di memoria
N-Ingresso 'E' Gate
Partire N-Ingresso AND Porta = Sommatore di salto riporto a N bit/Ingresso K AND Porta
Addizionatore N-Bit Carry-Skip
Partire Sommatore di salto riporto a N bit = N-Ingresso AND Porta*Ingresso K AND Porta
K-Input 'E' Gate
Partire Ingresso K AND Porta = Sommatore di salto riporto a N bit/N-Ingresso AND Porta

Capacità della cella Formula

Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))
Ccell = (Cbit*2*ΔV)/(Vdd-(ΔV*2))

In che modo le varie capacità variano nella RAM o DRAM dinamica?

Il condensatore DRAM Ccell deve essere il più piccolo possibile fisicamente per ottenere una buona densità. Tuttavia, la linea di bit viene contattata a molte celle DRAM e ha una capacità Cbit relativamente grande. Pertanto, la capacità della cella è in genere molto più piccola della capacità della linea di bit. una grande capacità della cella è importante per fornire una ragionevole oscillazione di tensione. È inoltre necessario conservare il contenuto della cella per un tempo accettabilmente lungo e ridurre al minimo gli errori soft.

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