Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET Kalkulator

✖Sygnał przyrostowy może odnosić się do niewielkiej zmiany sygnału analogowego, takiej jak napięcie lub prąd, która reprezentuje niewielką zmianę wejścia lub wyjścia urządzenia.ⓘ Sygnał przyrostowy [v_icm]			+10% -10%
✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%

✖Całkowity prąd to termin używany w elektrotechnice i fizyce w odniesieniu do sumy wszystkich prądów elektrycznych przepływających przez określony punkt obwodu lub przewodnika.ⓘ Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET [I_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Formuła

`"I"_{"t"} = "v"_{"icm"}/((1/"g"_{"m"})+(2*"R"_{"out"}))`

Przykład

`"7.727273mA"="85"/((1/"0.5mS")+(2*"4.5kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))
I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out))
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Całkowity prąd - (Mierzone w Amper) - Całkowity prąd to termin używany w elektrotechnice i fizyce w odniesieniu do sumy wszystkich prądów elektrycznych przepływających przez określony punkt obwodu lub przewodnika.
Sygnał przyrostowy - Sygnał przyrostowy może odnosić się do niewielkiej zmiany sygnału analogowego, takiej jak napięcie lub prąd, która reprezentuje niewielką zmianę wejścia lub wyjścia urządzenia.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Sygnał przyrostowy: 85 --> Nie jest wymagana konwersja
Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out)) --> 85/((1/0.0005)+(2*4500))

Ocenianie ... ...

I_t = 0.00772727272727273

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00772727272727273 Amper -->7.72727272727273 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

7.72727272727273 ≈ 7.727273 Miliamper <-- Całkowity prąd

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 12 Aktualny Kalkulatory

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-(Różnicowy sygnał wejściowy)^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Chwilowy prąd drenu

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie+Napięcie krytyczne)^2

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2

Prąd nasycenia drenu tranzystora MOSFET

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Efektywne napięcie)^2

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy = (Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania)*(Różnicowy sygnał wejściowy/2)

Chwilowy prąd drenu w odniesieniu do składowej stałej Vgs

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*((Napięcie krytyczne-Całkowite napięcie)^2)

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Iść Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))

Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Iść Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie

Prąd zwarciowy MOSFET

Iść Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET Formułę

Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))
I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out))

Co powoduje odrzucenie trybu wspólnego?

Tłumienie w trybie wspólnym to zdolność wzmacniacza różnicowego (który znajduje się między oscyloskopem a sondami jako przedwzmacniacz kondycjonujący sygnał) do eliminowania napięcia w trybie wspólnym z wyjścia. Jednak wraz ze wzrostem częstotliwości sygnału CMRR pogarsza się.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!