Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET Taschenrechner

✖Ein Inkrementalsignal kann sich auf eine kleine Änderung eines analogen Signals wie einer Spannung oder eines Stroms beziehen, die eine kleine Änderung am Eingang oder Ausgang eines Geräts darstellt.ⓘ Inkrementelles Signal [v_icm]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand [R_out]			+10% -10%

✖Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.ⓘ Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET [I_t]

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Formel

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Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET

Formel

`"I"_{"t"} = "v"_{"icm"}/((1/"g"_{"m"})+(2*"R"_{"out"}))`

Beispiel

`"7.727273mA"="85"/((1/"0.5mS")+(2*"4.5kΩ"))`

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Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))
I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out))
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamtstrom - (Gemessen in Ampere) - Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.
Inkrementelles Signal - Ein Inkrementalsignal kann sich auf eine kleine Änderung eines analogen Signals wie einer Spannung oder eines Stroms beziehen, die eine kleine Änderung am Eingang oder Ausgang eines Geräts darstellt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Inkrementelles Signal: 85 --> Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out)) --> 85/((1/0.0005)+(2*4500))

Auswerten ... ...

I_t = 0.00772727272727273

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00772727272727273 Ampere -->7.72727272727273 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.72727272727273 ≈ 7.727273 Milliampere <-- Gesamtstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-Differenzielles Eingangssignal^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Momentaner Abflussstrom

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2

Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Drain-Sättigungsstrom des MOSFET

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2

Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Stromverbrauch = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2)

Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*((Kritische Spannung-Gesamtspannung)^2)

Strom in Lastleitung ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand

Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET

Gehen Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))

Kurzschlussstrom des MOSFET

Gehen Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung

Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET Formel

Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))
I_t = v_icm/((1/g_m)+(2*R_out))

Was macht die Gleichtaktunterdrückung?

Gleichtaktunterdrückung ist die Fähigkeit des Differenzverstärkers (der als Signalaufbereitungsvorverstärker zwischen dem Oszilloskop und den Sonden sitzt), die Gleichtaktspannung vom Ausgang zu entfernen. Mit steigenden Signalfrequenzen verschlechtert sich jedoch das CMRR.

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