Częstotliwość odcięcia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Częstotliwość odcięcia = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Długość bramy)
fco = Vs/(4*pi*Lgate)
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne
Używane stałe
pi - Costante di Archimede Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Częstotliwość odcięcia - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość odcięcia definiuje się jako częstotliwość narożną stanowiącą granicę odpowiedzi częstotliwościowej systemu, przy której energia przepływająca przez system zaczyna się zmniejszać, a nie przechodzi.
Prędkość dryfu nasyconego - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu nasyconego to maksymalna prędkość, jaką może przemieszczać się w nośniku ładunku półprzewodnika.
Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramki definiuje się jako odległość pomiędzy elektrodami źródłowymi i drenowymi w kierunku prostopadłym do płaszczyzny materiału półprzewodnikowego i równoległym do elektrody bramki.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prędkość dryfu nasyconego: 5 Milimetr/Sekunda --> 0.005 Metr na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość bramy: 13.24 Mikrometr --> 1.324E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
fco = Vs/(4*pi*Lgate) --> 0.005/(4*pi*1.324E-05)
Ocenianie ... ...
fco = 30.0519152363851
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
30.0519152363851 Herc --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
30.0519152363851 30.05192 Herc <-- Częstotliwość odcięcia
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

13 Charakterystyka MESFET-u Kalkulatory

Częstotliwość odcięcia przy użyciu częstotliwości maksymalnej
Iść Częstotliwość odcięcia = (2*Maksymalna częstotliwość oscylacji)/(sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Odporność na metalizację bramy+Rezystancja wejściowa)))
Odporność na metalizację bramy
Iść Odporność na metalizację bramy = ((Odporność na drenaż*Częstotliwość odcięcia^2)/(4*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2))-(Opór źródła+Rezystancja wejściowa)
Rezystancja wejściowa
Iść Rezystancja wejściowa = ((Odporność na drenaż*Częstotliwość odcięcia^2)/(4*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2))-(Odporność na metalizację bramy+Opór źródła)
Opór źródła
Iść Opór źródła = ((Odporność na drenaż*Częstotliwość odcięcia^2)/(4*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2))-(Odporność na metalizację bramy+Rezystancja wejściowa)
Odporność na drenaż MESFET
Iść Odporność na drenaż = ((4*Maksymalna częstotliwość oscylacji^2)/Częstotliwość odcięcia^2)*(Opór źródła+Odporność na metalizację bramy+Rezystancja wejściowa)
Transkonduktancja w obszarze nasycenia
Iść Transkonduktancja = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Bariera potencjału diody Schottky'ego-Napięcie bramki)/Odetnij napięcie))
Maksymalna częstotliwość oscylacji w MESFET
Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = (Częstotliwość wzmocnienia jedności/2)*sqrt(Odporność na drenaż/Odporność na metalizację bramy)
Maksymalna częstotliwość oscylacji przy danej transkonduktancji
Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Transkonduktancja/(pi*Pojemność źródła bramki)
Częstotliwość odcięcia ze względu na transkonduktancję i pojemność
Iść Częstotliwość odcięcia = Transkonduktancja/(2*pi*Pojemność źródła bramki)
Pojemność źródła bramki
Iść Pojemność źródła bramki = Transkonduktancja/(2*pi*Częstotliwość odcięcia)
Częstotliwość odcięcia
Iść Częstotliwość odcięcia = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Długość bramy)
Transkonduktancja w MESFET
Iść Transkonduktancja = 2*Pojemność źródła bramki*pi*Częstotliwość odcięcia
Długość bramy MESFET
Iść Długość bramy = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Częstotliwość odcięcia)

Częstotliwość odcięcia Formułę

Częstotliwość odcięcia = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Długość bramy)
fco = Vs/(4*pi*Lgate)

Jakie są zastosowania MESFET?

MESFET oferują takie zalety, jak duże wzmocnienie, duża prędkość, niski poziom hałasu i niskie zużycie energii, dzięki czemu nadają się do różnych zastosowań w elektronice, telekomunikacji i dziedzinach biomedycznych.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!