Długość bramy MESFET Kalkulator

✖Prędkość dryfu nasyconego to maksymalna prędkość, jaką może przemieszczać się w nośniku ładunku półprzewodnika.ⓘ Prędkość dryfu nasyconego [V_s]			+10% -10%
✖Częstotliwość odcięcia definiuje się jako częstotliwość narożną stanowiącą granicę odpowiedzi częstotliwościowej systemu, przy której energia przepływająca przez system zaczyna się zmniejszać, a nie przechodzi.ⓘ Częstotliwość odcięcia [f_co]			+10% -10%

✖Długość bramki definiuje się jako odległość pomiędzy elektrodami źródłowymi i drenowymi w kierunku prostopadłym do płaszczyzny materiału półprzewodnikowego i równoległym do elektrody bramki.ⓘ Długość bramy MESFET [L_gate]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka MESFET-u Formuły PDF PDF Image

Długość bramy MESFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Długość bramy = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Częstotliwość odcięcia)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramki definiuje się jako odległość pomiędzy elektrodami źródłowymi i drenowymi w kierunku prostopadłym do płaszczyzny materiału półprzewodnikowego i równoległym do elektrody bramki.
Prędkość dryfu nasyconego - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu nasyconego to maksymalna prędkość, jaką może przemieszczać się w nośniku ładunku półprzewodnika.
Częstotliwość odcięcia - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość odcięcia definiuje się jako częstotliwość narożną stanowiącą granicę odpowiedzi częstotliwościowej systemu, przy której energia przepływająca przez system zaczyna się zmniejszać, a nie przechodzi.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prędkość dryfu nasyconego: 5 Milimetr/Sekunda --> 0.005 Metr na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Częstotliwość odcięcia: 30.05 Herc --> 30.05 Herc Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

L_gate = V_s/(4*pi*f_co) --> 0.005/(4*pi*30.05)

Ocenianie ... ...

L_gate = 1.32408438512392E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.32408438512392E-05 Metr -->13.2408438512392 Mikrometr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

13.2408438512392 ≈ 13.24084 Mikrometr <-- Długość bramy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Charakterystyka MESFET-u » Długość bramy MESFET

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka MESFET-u Kalkulatory

Pojemność źródła bramki

LaTeX Iść Pojemność źródła bramki = Transkonduktancja/(2*pi*Częstotliwość odcięcia)

Transkonduktancja w MESFET

LaTeX Iść Transkonduktancja = 2*Pojemność źródła bramki*pi*Częstotliwość odcięcia

Częstotliwość odcięcia

LaTeX Iść Częstotliwość odcięcia = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Długość bramy)

Długość bramy MESFET

LaTeX Iść Długość bramy = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Częstotliwość odcięcia)

Zobacz więcej >>

Długość bramy MESFET Formułę

LaTeX Iść

Długość bramy = Prędkość dryfu nasyconego/(4*pi*Częstotliwość odcięcia)
L_gate = V_s/(4*pi*f_co)

Jakie są zastosowania MESFET?

MESFET oferują takie zalety, jak duże wzmocnienie, duża prędkość, niski poziom hałasu i niskie zużycie energii, dzięki czemu nadają się do różnych zastosowań w elektronice, telekomunikacji i dziedzinach biomedycznych.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Dutch

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!