Prąd spustowy Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Parametry pracy tranzystora

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Charakterystyka półprzewodników

Parametry elektrostatyczne

✖Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Bramkowa pojemność tlenkowa to zdolność elementu lub obwodu do gromadzenia i magazynowania energii w postaci ładunku elektrycznego.ⓘ Pojemność tlenku bramki [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość złącza bramki jest zdefiniowana jako szerokość złącza bramki w urządzeniu półprzewodnikowym.ⓘ Szerokość skrzyżowania bramy [W_gate]			+10% -10%
✖Długość bramki to po prostu fizyczna długość bramki. Długość kanału to ścieżka, która łączy nośniki ładunku między drenem a źródłem.ⓘ Długość bramy [L_g]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramki-źródła tranzystora.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%
✖Napięcie nasycenia źródła drenu to różnica napięcia między emiterem a końcówką kolektora wymagana do włączenia tranzystora MOSFET.ⓘ Napięcie nasycenia źródła drenu [V_ds]			+10% -10%

✖Prąd drenu definiuje się jako prąd podprogowy, który zwykle jest poniżej prądu progowego i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.ⓘ Prąd spustowy [I_D]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd spustowy

Formuła

`"I"_{"D"} = "μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"gate"}/"L"_{"g"})*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})*"V"_{"ds"}`

Przykład

`"891mA"="180m²/V*s"*"75nF"*("230μm"/"2.3nm")*("1.25V"-"0.7V")*"1.2V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Parametry pracy tranzystora Formuły PDF

Prąd spustowy Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = Ruchliwość elektronów*Pojemność tlenku bramki*(Szerokość skrzyżowania bramy/Długość bramy)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie nasycenia źródła drenu
I_D = μ_n*C_ox*(W_gate/L_g)*(V_gs-V_th)*V_ds
Ta formuła używa 8 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu definiuje się jako prąd podprogowy, który zwykle jest poniżej prądu progowego i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.
Ruchliwość elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
Pojemność tlenku bramki - (Mierzone w Farad) - Bramkowa pojemność tlenkowa to zdolność elementu lub obwodu do gromadzenia i magazynowania energii w postaci ładunku elektrycznego.
Szerokość skrzyżowania bramy - (Mierzone w Metr) - Szerokość złącza bramki jest zdefiniowana jako szerokość złącza bramki w urządzeniu półprzewodnikowym.
Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramki to po prostu fizyczna długość bramki. Długość kanału to ścieżka, która łączy nośniki ładunku między drenem a źródłem.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramki-źródła tranzystora.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.
Napięcie nasycenia źródła drenu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia źródła drenu to różnica napięcia między emiterem a końcówką kolektora wymagana do włączenia tranzystora MOSFET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ruchliwość elektronów: 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenku bramki: 75 Nanofarad --> 7.5E-08 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość skrzyżowania bramy: 230 Mikrometr --> 0.00023 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość bramy: 2.3 Nanometr --> 2.3E-09 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie źródła bramki: 1.25 Wolt --> 1.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie nasycenia źródła drenu: 1.2 Wolt --> 1.2 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_D = μ_n*C_ox*(W_gate/L_g)*(V_gs-V_th)*V_ds --> 180*7.5E-08*(0.00023/2.3E-09)*(1.25-0.7)*1.2

Ocenianie ... ...

I_D = 0.891

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.891 Amper -->891 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

891 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Parametry pracy tranzystora » Prąd spustowy

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 13 Parametry pracy tranzystora Kalkulatory

Prąd spustowy

Iść Prąd spustowy = Ruchliwość elektronów*Pojemność tlenku bramki*(Szerokość skrzyżowania bramy/Długość bramy)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie nasycenia źródła drenu

Prąd bazowy przy użyciu współczynnika wzmocnienia prądu

Iść Prąd bazowy = Prąd emitera*(1-Bieżący współczynnik wzmocnienia)-Prąd upływowy bazy kolektora

Wydajność emitera

Iść Wydajność emitera = Prąd dyfuzji elektronów/(Prąd dyfuzji elektronów+Prąd dyfuzyjny otworów)

Napięcie kolektor-emiter

Iść Napięcie kolektor-emiter = Wspólne napięcie kolektora-Prąd kolektora*Opór kolekcjonerski

Bieżący współczynnik wzmocnienia przy użyciu podstawowego współczynnika transportu

Iść Bieżący współczynnik wzmocnienia = Podstawowy współczynnik transportu/(Podstawowy współczynnik transportu+1)

Prąd upływu kolektora do emitera

Iść Prąd upływu kolektora-emitera = (Podstawowy współczynnik transportu+1)*Prąd upływowy bazy kolektora

Prąd kolektora przy użyciu podstawowego współczynnika transportu

Iść Prąd kolektora = Podstawowy współczynnik transportu*Prąd bazowy

Podstawowy współczynnik transportu

Iść Podstawowy współczynnik transportu = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Prąd kolektora przy użyciu współczynnika wzmocnienia prądu

Iść Prąd kolektora = Bieżący współczynnik wzmocnienia*Prąd emitera

Bieżący współczynnik wzmocnienia

Iść Bieżący współczynnik wzmocnienia = Prąd kolektora/Prąd emitera

Wspólne wzmocnienie prądu kolektora

Iść Wspólne wzmocnienie prądu kolektora = Podstawowy współczynnik transportu+1

Prąd emitera

Iść Prąd emitera = Prąd bazowy+Prąd kolektora

Dynamiczna rezystancja emitera

Iść Dynamiczna rezystancja emitera = 0.026/Prąd emitera

Prąd spustowy Formułę

Jak prąd drenu zmienia się wraz z bramką do źródła i napięcia progowego?

Prąd drenu wynosi zero, jeśli napięcie bramki do źródła jest mniejsze niż napięcie progowe. Wyrażenie liniowe jest poprawne tylko wtedy, gdy napięcie między drenem a źródłem jest znacznie mniejsze niż napięcie bramki do źródła minus napięcie progowe. Zapewnia to, że prędkość, pole elektryczne i gęstość ładunku w warstwie inwersyjnej są rzeczywiście stałe między źródłem a drenem. Chociaż nie ma prądu drenu, jeśli napięcie bramki jest mniejsze niż napięcie progowe, prąd rośnie wraz z napięciem bramki, gdy jest większe niż napięcie progowe.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!