Pojemność bramki Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI

Konstrukcja analogowa VLSI

✖Ładunek kanałowy definiuje się jako siłę wywieraną przez materię umieszczoną w polu elektromagnetycznym.ⓘ Opłata za kanał [Q_ch]			+10% -10%
✖Napięcie bramki do kanału definiuje się jako rezystancję w stanie dren-źródło jest większa niż wartość znamionowa, gdy napięcie bramki jest w pobliżu napięcia progowego.ⓘ Napięcie bramki do kanału [V_gc]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%

✖Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność bramki [C_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pojemność bramki

Formuła

`"C"_{"g"} = "Q"_{"ch"}/("V"_{"gc"}-"V"_{"t"})`

Przykład

`"59.60364μF"="0.40mC"/("7.011V"-"0.3V")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Pojemność bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Pojemność bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Opłata za kanał - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek kanałowy definiuje się jako siłę wywieraną przez materię umieszczoną w polu elektromagnetycznym.
Napięcie bramki do kanału - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramki do kanału definiuje się jako rezystancję w stanie dren-źródło jest większa niż wartość znamionowa, gdy napięcie bramki jest w pobliżu napięcia progowego.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opłata za kanał: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie bramki do kanału: 7.011 Wolt --> 7.011 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.3 Wolt --> 0.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

Ocenianie ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Mikrofarad (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

59.6036358217851 ≈ 59.60364 Mikrofarad <-- Pojemność bramki

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Pojemność bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI

Iść Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego = -(1-((Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem+Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem)/(2*Długość kanału)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Stężenie akceptora*abs(2*Potencjał powierzchni))

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI

Iść Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Złącze wbudowane w napięcie)/([Charge-e]*Stężenie akceptora))

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Iść Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)

Całkowita pojemność pasożytnicza źródła

Iść Źródło pojemności pasożytniczej = (Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła*Obszar dyfuzji źródła)+(Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną*Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji)

Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI

Iść Prąd nasycenia krótkiego kanału = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Napięcie źródła drenażu nasycenia

Prąd złącza

Iść Prąd złącza = (Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd bramki)

Potencjał powierzchniowy

Iść Potencjał powierzchni = 2*Różnica potencjałów ciała źródłowego*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja)

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała

Iść Napięcie progowe DIBL = Współczynnik DIBL*Drenaż do potencjału źródłowego+Próg napięcia

Nachylenie podprogowe

Iść Nachylenie podprogu = Różnica potencjałów ciała źródłowego*Współczynnik DIBL*ln(10)

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Iść Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)

Pojemność tlenkowa bramki

Iść Pojemność warstwy tlenku bramki = Pojemność bramki/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania

Pojemność bramki

Iść Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Próg napięcia

Iść Próg napięcia = Napięcie bramki do kanału-(Opłata za kanał/Pojemność bramki)

Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu = Grubość tlenku bramki/Współczynnik skalowania

Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu = Głębokość połączenia/Współczynnik skalowania

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Szerokość kanału po pełnym skalowaniu = Szerokość kanału/Współczynnik skalowania

Wewnętrzna pojemność bramki

Iść Pojemność nakładania się bramki MOS = Pojemność bramki MOS*Szerokość przejścia

Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Długość kanału po pełnym skalowaniu = Długość kanału/Współczynnik skalowania

Mobilność w Mosfecie

Iść Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki

K-Prime

Iść K. Premier = Mobilność w MOSFET-ie*Pojemność warstwy tlenku bramki

Pojemność bramki Formułę

Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

Jakie są zastosowania obliczania pojemności bramki w VLSI?

Obliczanie pojemności bramki w (VLSI) ma kluczowe znaczenie dla optymalizacji zużycia energii i integralności sygnału. Pomaga w projektowaniu wydajnych obwodów CMOS, określaniu opóźnień i minimalizowaniu mocy przełączania. Wiedza ta jest niezbędna do uzyskania wysokowydajnych układów scalonych o niskim poborze mocy w zastosowaniach takich jak smartfony, urządzenia IoT i mikroprocesory.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!