✖Ładunek kanałowy definiuje się jako siłę wywieraną przez materię umieszczoną w polu elektromagnetycznym.ⓘ Opłata za kanał [Qch] | | | +10% -10% |
✖Napięcie bramki do kanału definiuje się jako rezystancję w stanie dren-źródło jest większa niż wartość znamionowa, gdy napięcie bramki jest w pobliżu napięcia progowego.ⓘ Napięcie bramki do kanału [Vgc] | | | +10% -10% |
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [Vt] | | | +10% -10% |