Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Rin = (Re*(Rout+RL))/(Rout+(RL/(β+1)))
Ta formuła używa 5 Zmienne
Używane zmienne
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to wartość rezystancji obciążenia podana dla sieci.
Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora - Wzmocnienie prądu bazowego kolektora to termin używany w obwodach elektronicznych do opisania maksymalnego prądu, jaki może tolerować złącze kolektor-emiter tranzystora bez uszkodzenia.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Skończona rezystancja wyjściowa: 0.35 Kilohm --> 350 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Odporność na obciążenie: 1.013 Kilohm --> 1013 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora: 12 --> Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Rin = (Re*(Rout+RL))/(Rout+(RL/(β+1))) --> (67*(350+1013))/(350+(1013/(12+1)))
Ocenianie ... ...
Rin = 213.405177062736
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
213.405177062736 Om -->0.213405177062736 Kilohm (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.213405177062736 0.213405 Kilohm <-- Rezystancja wejściowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

8 Wzmacniacz ze wspólną bazą Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Całkowite wzmocnienie prądu w odniesieniu do wzmocnienia napięcia
​ Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = Całkowite wzmocnienie napięcia/(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału)))
Ujemne wzmocnienie napięcia od bazy do kolektora
​ Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera)
Wspólne wzmocnienie prądu bazowego
​ Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = (Wzmocnienie napięcia*Rezystancja emitera/Odporność kolekcjonerska)
Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)
Wzmocnienie napięcia wzmacniacza wspólnej bazy
​ Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie kolektora/Napięcie emitera
Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera
Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego
​ Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)
Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego
​ Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem
​ Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła
​ Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)
Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem
​ Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem
​ Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)
Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy
​ Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego
​ Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
​ Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem
​ Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy
Napięcie obciążenia wzmacniacza CS
​ Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe
Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą
​ Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera
Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą
​ Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą Formułę

Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Rin = (Re*(Rout+RL))/(Rout+(RL/(β+1)))

Jaki jest pożytek z obwodu wspólnej bramki?

Ta konfiguracja obwodu jest zwykle używana jako wzmacniacz napięcia. Źródło FET w tej konfiguracji działa jako wejście, a dren jako wyjście.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!