Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera
Rb = hfc*Re
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Odporność podstawowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja podstawowa jest miarą oporu przepływu prądu w obwodzie elektrycznym.
Stała wysokiej częstotliwości - Stała wysokiej częstotliwości odnosi się do stałej wartości rezystancji używanej do określenia impedancji wejściowej wzmacniacza.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stała wysokiej częstotliwości: 16.89 --> Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Rb = hfc*Re --> 16.89*67
Ocenianie ... ...
Rb = 1131.63
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1131.63 Om -->1.13163 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.13163 Kilohm <-- Odporność podstawowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

10+ Naśladowca emitera Kalkulatory

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera
Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)
Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz
Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
Prąd nasycenia wtórnika emitera
Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
Rezystancja wejściowa wtórnika emitera
Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)
Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera
Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera
Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera
Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości
Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym
Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera
Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa
Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego
Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy
Napięcie wejściowe wtórnika emitera
Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

15 Wielostopniowe wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia w bipolarnym kaskodzie w obwodzie otwartym
Iść Wzmocnienie napięcia bipolarnego Cascode = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Transkonduktancja wtórna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera
Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)
Rezystancja drenażu wzmacniacza Cascode
Iść Odporność na drenaż = (Wzmocnienie napięcia wyjściowego/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa))
Wzmocnienie napięcia wyjściowego wzmacniacza kaskadowego MOS
Iść Wzmocnienie napięcia wyjściowego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż
Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz
Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
Prąd nasycenia wtórnika emitera
Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
Równoważna rezystancja wzmacniacza Cascode
Iść Opór pomiędzy drenem a ziemią = (1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Rezystancja wejściowa)^-1
Wzmocnienie ujemnego napięcia wzmacniacza Cascode
Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią)
Rezystancja wejściowa wtórnika emitera
Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)
Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera
Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera
Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera
Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości
Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym
Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera
Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa
Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego
Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy
Napięcie wejściowe wtórnika emitera
Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera Formułę

Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera
Rb = hfc*Re

Co oznacza zwolennik emitera?

Element wtórny emitera, rodzaj obwodu tranzystorowego, służy jako bufor pomiędzy wejściem i wyjściem, utrzymując to samo napięcie, ale przy wyższej wydajności prądowej, zapewniając dopasowanie impedancji i izolację sygnału w obwodach elektronicznych.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!