Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Rb = hfc*Re
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Basiswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Basiswiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis.
Hochfrequenzkonstante - Hochfrequenzkonstante bezieht sich auf einen festen Widerstandswert, der zur Definition der Eingangsimpedanz des Verstärkers verwendet wird.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Hochfrequenzkonstante: 16.89 --> Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 0.067 Kiloohm --> 67 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rb = hfc*Re --> 16.89*67
Auswerten ... ...
Rb = 1131.63
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1131.63 Ohm -->1.13163 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.13163 Kiloohm <-- Basiswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Emitter-Folger Taschenrechner

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

15 Mehrstufige Transistorverstärker Taschenrechner

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf
Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))
Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1
Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers
Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang Formel

Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Rb = hfc*Re

Was ist mit Emitterfolger gemeint?

Ein Emitterfolger, eine Art Transistorschaltung, dient als Puffer zwischen Eingang und Ausgang, hält die gleiche Spannung aufrecht, bietet aber eine höhere Strombelastbarkeit und sorgt so für Impedanzanpassung und Signalisolierung in elektronischen Schaltkreisen.

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